我们知道一般MCU的flash有等待周期,随主频提升需要插入flash读取的等待周期,以stm32f103为例,主频在72M时需要插入2个等待周期,故而代码效率无法达到最大时钟频率。
所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。
但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些,这是为什么呢?
我们前面了解过GD32F303 flash的code area区是零等待的,GD32F系列MCU片上Flash中Code区和Data区使用解密
零等待访问理论上就应该和在sram运行速度一样,那么为何会比sram更快一些呢?
通过查阅GD32F303用户手册系统架构章节我们可以知道,访问flash时可以直接通过ibus和sbus专用总线进行访问,而访问sram时通过AHB主机接口通过System BUS进行访问,AHB主机接口下更还有挂载有其他主机和外设总线,共享总线带宽。
所以GD32F303的代码运行在code area零等待区时,效率会比常规加载sram的方式更高。
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