Qorvo,全球领先的综合连接和电源解决方案供应商,近日发布了其全新车规级碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装,实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS(on)。作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,其最高可达60mΩ的导通电阻值,使其在电动汽车(EV)领域具有广泛的应用前景,尤其适用于车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等关键应用。
随着电动汽车市场的不断扩大和技术的不断进步,对于高效、可靠的电力电子解决方案的需求日益增长。Qorvo的这款SiC FET产品凭借其卓越的性能和紧凑的封装,为电动汽车设计提供了新的可能性和更高的性能。其低导通电阻能够显著降低能源损失,提高系统效率,而紧凑的封装则有助于减少空间占用,使设计更为紧凑。
作为全球连接和电源解决方案的领导者,Qorvo一直致力于创新和突破,以满足市场对高效、可靠和紧凑的电子解决方案的需求。这次推出的SiC FET产品再次证明了Qorvo在技术上的领先地位和对电动汽车市场的深度理解。
未来,随着电动汽车市场的持续发展,我们期待Qorvo能够继续推出更多创新的产品,为电动汽车的设计和性能提升提供更多可能。同时,我们也期待看到Qorvo的SiC FET产品在更多电动汽车类应用中的广泛应用,为推动电动汽车技术的发展做出更大的贡献。
-
半导体
+关注
关注
335文章
27826浏览量
223886 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2847浏览量
49331 -
Qorvo
+关注
关注
17文章
656浏览量
77583
发布评论请先 登录
相关推荐
新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装
![新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET <b class='flag-5'>D</b>²<b class='flag-5'>PAK</b>-7L<b class='flag-5'>封装</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET
![瞻芯电子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3<b class='flag-5'>Pak</b><b class='flag-5'>封装</b>的1200V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET](https://file1.elecfans.com/web3/M00/00/23/wKgZPGdGxDCAR_2pAAAS82Bz09Q358.png)
Qorvo SiC JFET推动固态断路器革新
Nexperia推出650V两种超快速恢复整流二极管
Qorvo®推出采用TOLL封装的750V4mΩSiC JFET
安世半导体宣布推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
![深入对比<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET vs <b class='flag-5'>Qorvo</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>FET</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C8/A0/wKgaomYWFsmAdDMHAAAI1oDENUk334.jpg)
评论