0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-02-01 10:35 次阅读

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。

GDDR7是三星推出的一款高速存储器产品,其速度高达37 Gbps,相比现有的GDDR6X,速度提升了50%以上。这款产品将为高性能计算、人工智能和游戏等领域提供更快的存储和数据处理能力。

此外,三星还将展示其280层堆叠的3D QLC NAND技术。这种技术有望成为迄今为止储存资料密度最高的新型3D QLC NAND闪存技术。相比传统的2D NAND闪存技术,3D QLC NAND技术具有更高的存储密度和更快的读写速度,能够提供更高的性能和更大的容量。

三星的这些技术展示将进一步巩固其在存储器市场的领先地位,并为未来的技术发展奠定基础。随着人工智能、云计算和大数据等领域的快速发展,对高性能存储器的需求不断增加,三星的技术创新将为这些领域的发展提供有力支持。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1690

    浏览量

    136421
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7528

    浏览量

    164298
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1605

    浏览量

    31457
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

    电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000
    的头像 发表于 06-29 00:03 4644次阅读

    三星GDDR7显存技术驱动图形处理新时代

    从粗糙的像素点阵到精妙的光线追踪技术,从平面的2D视界跃升至栩栩如生的3D世界,计算机图形技术持续飞跃,赋予我们前所未有的震撼视觉盛宴。这一壮丽图景的幕后推手,正是卓越的图形处理能力。
    的头像 发表于 12-26 13:43 216次阅读

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-
    发表于 12-17 17:34

    三星推出业界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM内存芯片

    三星推出了业内首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM内存芯片,其超高速度可达42.5Gbps,专为下一代图形处理单元(GPU)打造。据三星
    的头像 发表于 10-22 15:13 918次阅读

    三星发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM

    近日,存储芯片巨头三星电子宣布了一项重大突破:成功开发出业界首款24Gb GDDR7 DRAM。这款新品不仅在容量上达到了业界最高水平,更在速度上实现了显著提升,成为下一代AI计算应用的理想解决方案。
    的头像 发表于 10-18 16:58 846次阅读

    三星QLC第九代V-NAND量产启动,引领AI时代数据存储新纪元

    三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步,其最新推出QLC V-NAND第九代
    的头像 发表于 09-23 14:53 644次阅读

    三星已成功开发163D DRAM芯片

    在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出163D DRAM
    的头像 发表于 05-29 14:44 853次阅读

    3D NAND闪存来到290,400+不远了

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+ 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前
    的头像 发表于 05-25 00:55 3987次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>闪存来到290<b class='flag-5'>层</b>,400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

    三星电子研发163D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

    在今年的IEEE IMW 2024活动中,三星DRAM业务的资深副总裁Lee指出,已有多家科技巨头如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是发展至8
    的头像 发表于 05-22 15:02 946次阅读

    三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品,采用290双重堆叠技术

    作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236增至290,主要应用
    的头像 发表于 04-28 10:08 813次阅读

    三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录

    三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290第九代V-NAND3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236
    的头像 发表于 04-18 09:49 735次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND)闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 652次阅读

    三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数达290

    据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数高达290,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了
    的头像 发表于 04-12 16:05 881次阅读

    三星、海力士推出GDDR7显存,最高时速48Gbps、64Gb

    值得关注的是,新型GDDR7内存提供的容量选项亦更加多样化,本次展出的版本即包含16Gb与24Gb两种款式,分别匹配2GB和3GB显存容量。据JEDEC公布的数据显示,未来GDDR7内存的运行速度有望提高到48Gbps
    的头像 发表于 03-21 15:35 895次阅读

    JEDEC发布:GDDR7 DRAM新规范,专供显卡与GPU使用

    三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一代显卡用内存GDDR7 DRAM,这是用于图形处理单元(GPU)的最新一代高性能内存。
    发表于 03-18 10:35 809次阅读
    JEDEC发布:<b class='flag-5'>GDDR7</b> DRAM新规范,专供显卡与GPU使用