英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列的一大亮点在于其采用了英飞凌独有的.XT互联技术。这一技术不仅增强了产品的输出电流能力,提高了效率,而且还有助于提高产品的可靠性。
在电动汽车、充电设备和可再生能源系统中,高压功率转换是至关重要的。而SiC MOSFET由于其高效的能量转换和高温稳定性,在这些领域中具有广泛的应用前景。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列的出现,将进一步推动这些领域的技术进步和性能提升。
英飞凌作为全球领先的半导体解决方案供应商,始终致力于创新和突破,以满足市场对高效、可靠和紧凑的电子解决方案的需求。此次推出的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,再次证明了英飞凌在技术上的领先地位和对市场需求的深度理解。
未来,随着电动汽车和可再生能源市场的不断扩大,对高压功率转换器件的需求将进一步增加。英飞凌将继续推出更多创新的产品,为用户提供更加完善的解决方案,推动各行业的发展。
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