英飞凌联手安克创新与盛弘电气，加速SiC与GaN技术应用

近期，英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作，共同推动SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能，为行业带来更多的创新和价值。

英飞凌将为盛弘电气提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件。这款产品具有出色的能效和高温性能，能够大幅提高电力电子设备的效率和可靠性。配合英飞凌的EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，盛弘电气的储能变流器将实现更高的效率，为可再生能源的利用和分布式电网的发展提供有力支持。

同时，英飞凌还与安克创新（Anker Innovations）在深圳联合成立创新应用中心。该中心于2023年12月底正式揭牌并投入使用，将专注于开发高效、高能充电解决方案，以减少碳排放，推动低碳化进程。英飞凌的SiC和GaN技术将在这些解决方案中发挥关键作用，助力安克创新在充电设备领域取得领先地位。

这些合作进一步展示了英飞凌在SiC和GaN技术领域的领先地位和广泛影响力。通过与业界领先的厂商合作，英飞凌将继续推动这些技术的发展，为各行业带来更高效、可靠的电力电子解决方案，助力全球向低碳经济转型。