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详细介绍OVP过压保护芯片的功能及使用方法

平芯微半导体 来源:平芯微半导体 2024-02-22 18:18 次阅读

OVP过压保护芯片

OVP过压保护IC:为了保护后级电路,平芯微早早推出了系列OVP过压保护芯片产品,很多客户对于OVP过压保护芯片的功能和使用仍然存在一些误解。这次我们平芯微就针对OVP过压保护芯片功能使用做详细的描述和介绍。

首先我们需要先看下芯片规格书的描述(如下图),有一定了解后,我们再往下给大家讲解。

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下图是我们手绘的输入电压VIN和输出电压VOUT和过压阈值OVP三者的关系和芯片内部框图。

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1, 当输入电压VIN是5V时,输出电压VOUT也是5V;

2, 当输入电压VIN是9V时,输出电压VOUT也是0V;

3, 当输入电压从5V提高到9V时,电压在uS时间下看是斜坡形上升的(需用示波器查看),由于OVP过压保护芯片的目的是保护后级电路的安全,不受高压的危险,导致损坏后级电路,所以要求OVP过压保护芯片需要要过快的响应时间,平芯微的以下4款OVP过压保护产品,都具有极快的OVP响应时间0.05uS,在OVP阈值达到时,快速关闭芯片内置MOS,使得无输出电压,保护后级电路。

PW2605 (输入耐压36V,SOT23-3封装,OVP阈值6.1V,1A电流,内阻350mΩ);

PW2606B(输入耐压40V,SOT23-6封装,OVP阈值6.1V,1A电流,内阻350mΩ);

PW2606(输入耐压40V,SOT23-6封装,OVP阈值6.1V,2A电流,内阻100mΩ);

PW2609A(输入耐压40V,SOT23-6封装,OVP阈值可调,3A电流,内阻35mΩ);

OVP过压保护芯片选型时的其他主要参数

1,内置MOS的内阻阻抗

[ 电压压差 ] 根据欧姆定律:R(内阻) x I(电流)=V(压差),内阻越高时,输入电压和输出电压的压差也越高。

[ 芯片温度 ] 内阻越高时,芯片发热量也提高。

[ 电流大小 ] 内阻越低时,可以通过更高的电流,如PW2609A可做3A应用,PW2606是2A,PW2606B/PW2605是1A,须知大部分OVP过压保护芯片无限流功能,如需再增加限流功能,除了成本增加外,电路也增加,平芯微也有系列带OVP过压保护和可调限流功能的系列产品,如:PW1515,PW1555,PW1558。

2,输入端耐压

由于电源的特性,输入上电瞬间会产生尖峰电压,所以需要芯片输入端有足够的耐压。

PW2605/PW2606B.PW2606/PW2609A输入耐压都在40V左右,可以抗住12V的输入尖峰测试,

当输入20V尖峰测试时,在输入端加个电解电容做吸收,使得尖峰电压在30V以下,远低于我们芯片耐压,保证安全性。

如:面对后级电路的耐压是15V时,如果电路中因为高度限制没加电解电容时,输入12V时,由于电源的特性输入上电瞬间,会产生尖峰电压,瞬间的尖峰电压可能会达到16V,18V等等,超过耐压15V,造成损坏。也可以加PW2609A起到过压保护作用。

如:快充充电器,市面上快充充电器产品质量的参差不齐,也需要平芯微的过压保护芯片提高安全性和质量可靠性。

如:TWS耳机,电子烟这种靠近人头部使用产品,更需要平芯微的过压保护芯片提高安全性和质量可靠性。

在过压保护芯片产品使用中,很多使用在锂电池充电芯片前面做保护左右,为了节省PCB设计和成本。平芯微也有多款集成了OVP过压保护的锂电池充电芯片:

PW4056HH,SOP8封装4056脚位,双LED灯,1A充电,OVP阈值6.8V,输入耐压28V;

PW4057H, SOT23-6封装4057脚位,双LED灯,0.8A充电,OVP阈值6.8V,输入耐压28V;

PW4054H, SOT23-5封装4054脚位,单LED灯,0.5A充电,OVP阈值6.8V,输入耐压28V。

在面对锂电池放电时,如遇到大功率放电突然断开时,也会产生异常尖峰高压,平芯微针对以上三款新品,对于BAT电池端引脚耐压从普遍6V设计,提高了3倍以上,采用了20V耐压,提高质量可靠性。





审核编辑:刘清

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原文标题:为什么需要OVP过压保护IC及其作用详解

文章出处:【微信号:平芯微半导体,微信公众号:平芯微半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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