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高速DRAM的training

数字芯片实验室 来源:数字芯片实验室 2024-02-25 10:49 次阅读

随着每一代接口(Interface)和存储(memory)的频率和速率的提高,信号采样以及传输变得越来越困难,因为数据眼(data eyes)越来越小。

为了帮助高速 I/O 握手,接口和存储支持越来越多的Training Modes,系统设计人员必须将这些Training Modes作为系统bring up和正常操作的一部分,以使系统能够按预期工作。

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尤其是对于数据中心业务,这些training mode非常重要。

以下是 LPDDR5/DDR5 DIMM 等最新 DRAM 支持的最重要的training mode:

1.Vref Training

这是内存子系统初始bring up的部分。Host通常会设置 DRAM 模式寄存器,该寄存器将用作command、chip select和 DQ 等信号的参考电压。由于DRAM 可能无法在完成 Vref training之前对 Host 命令进行采样,因此 Host 会分多个周期发送该命令,以确保 DRAM 能够接收该命令。

2. Command Training

这通常是Host必须执行的第一个功能Training,以确保 DRAM 设备能够理解它发送的命令。它涉及Host驱动 DRAM 的command总线,然后DRAM对 DQ 信号进行采样并反馈回去。Host可以检查反馈并与它驱动的内容进行比较。如果反馈与驱动的内容不匹配,Host可以调整输入。

3. Clock to Strobe leveling

由于布线差异等其他因素,DRAM 使用的strobe信号通常不会与它接收的输入时钟对齐。Host必须通过Clock to Strobe leveling来调整此相位差。此training称为 DDR5 的Write leveling。

4. Strobe to DQ Training

完成 Clock to Strobe training后,下一步是确保 Host 和 DRAM 能够正确发送/采样写入和读取数据。这一步的目的是让 Host 知道strobe和data信号的时序关系,称为Strobe to DQ training。它通常涉及写入 DRAM 已知数据,然后从同一位置读取并比较两者以检查它们是否匹配。然后,Host将其调整strobe和data的相位关系,并再次执行相同的步骤,直到它能够正确地向 DRAM 写入/读取数据。

5. Other Trainings

通常在DIMM中还支持其他几项trainings,以帮助实现设备的特定调整。对于 DDR5 DIMM 等设备,trainings不仅涉及单个组件(RCD、DRAM、DB),还涉及信号如何从一个组件传播到另一个组件。Host需要training单个组件以及整个模块,例如一些 DDR5 LRDIMM模块级trainings的示例(如 MRE、MRD、DWL、MWD 等)。

总之,trainings是接口和存储系统启动和正常功能的重要组成部分。它也日益成为一个重要的设计和验证挑战,需要作为 SOC 规划的一部分加以考虑。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:高速DRAM的training

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