近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品,其性能也实现了质的飞跃。
具体来看,HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,这一数字令人瞩目,意味着数据传输速度将得到大幅提升。同时,该产品的容量也达到了36GB,为大型计算任务提供了充足的内存支持。
与三星之前的8层堆叠HBM3 8H相比,HBM3E 12H在带宽和容量上均实现了显著增长。据三星官方数据显示,其性能提升超过50%,为高性能计算和人工智能等领域的应用提供了更强大的支持。
目前,三星已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品,并预计于今年下半年开始大规模量产。这一消息无疑将为整个半导体行业带来新的活力,并有望推动相关领域的技术革新和应用拓展。
HBM3E 12H的成功发布,不仅展示了三星在半导体技术领域的创新能力,也为其在全球市场上的竞争提供了有力支持。未来,我们期待看到更多基于这一技术的创新应用和产品问世。
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15859浏览量
180973 -
内存
+关注
关注
8文章
3016浏览量
73989 -
HBM
+关注
关注
0文章
377浏览量
14739 -
HBM3E
+关注
关注
0文章
78浏览量
248
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子HBM3E商业化遇阻,或重新设计1a DRAM电路
美光12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付
三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试
传三星HBM3E尚无法通过英伟达认证
三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注
三星与AMD达成HBM3E采购大单,总金额达4万亿韩元
三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM
![<b class='flag-5'>三星</b>重磅<b class='flag-5'>发布</b>全新<b class='flag-5'>12</b><b class='flag-5'>层</b>36GB <b class='flag-5'>HBM3e</b> <b class='flag-5'>DRAM</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C7/15/wKgaomYGLAOAReZCAAAwN0ytXpo089.png)
评论