三星推出其首款256GB SD Express microSD存储卡

三星推出其首款256GB SD Express microSD存储卡，其传输速度为三星现有接口速度的4倍以上

三星1TB UHS-1 microSD存储卡搭载其最新V-NAND技术，现已投入量产

2024年2月28日 - 三星电子今日宣布，已开始向客户提供其256GB¹ SD Express² microSD存储卡样品，该款存储卡顺序读取速度最高可达800MB/s，此外，1TB³ UHS-1 microSD存储卡现已进入量产阶段。随着新一代microSD存储卡产品的推出，三星将着力打造差异化存储解决方案，更好满足未来移动计算和端侧人工智能应用的需求。

三星电子品牌存储事业部全球副总裁Hangu Sohn表示：

来自移动计算和端侧人工智能应用的需求与日俱增，三星推出的这两款全新microSD卡为应对这一问题提供了有效解决方案。尽管存储卡尺寸极小，但能够带来SSD（固态硬盘）级别的强大性能和超大容量，帮助用户充分利用要求严格的现代和未来应用。

三星首款SD Express microSD存储卡，传输速度最高可达800MB/s

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡，这也是与客户成功合作开发定制产品的成果。

得益于三星的低功耗设计以及为实现产品优良性能和可靠热管理而专门优化的固件技术，三星SD Express microSD储存卡能够以小巧外形尺寸提供与SSD相媲美的性能。传统microSD存储卡采用UHS-1接口，读取速度上限为104MB/s，而SD Express系列产品的最大读取速度可达985MB/s，但截至目前，SD Express microSD存储卡尚未投入商用。

三星SD Express microSD存储卡的顺序读取速度可达800MB/s，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍、传统UHS-1接口存储卡（最高200MB/s）的4倍以上，能够在PC和移动设备等多种应用端得到更好的计算体验。为确保SD Express microSD存储卡性能稳定、质量可靠，三星采用了动态散热保护（Dynamic Thermal Guard）技术，即使长时间使用，也能确保存储卡温度始终处于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存储卡，搭载先进1Tb V-NAND技术

三星在全新1TB microSD存储卡上堆叠了八层三星第8代1Tb V-NAND，实现了过去仅能应用于SSD的大容量封装。全新1TB microSD存储卡已通过业内测试，即使在极具挑战性的环境中也能保持稳定可靠。产品具备防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防X射线和防磁⁴等六重防护特性。

推出时间

256GB SD Express microSD存储卡将于今年内推出，1TB UHS-1 microSD存储卡预计将于今年第三季度投入市场。

¹ 1GB=1,000,000,000字节（10亿字节）。实际可用容量可能会少于标识容量。

² SD Express：全新SD存储卡接口支持PCIe Gen3x1 协议（基于2019年2月发布的SD 7.1规范），理论传输速度可达985MS/s。

³ 1TB=1,000,000,000,000字节（1万亿字节）。实际可用存储容量可能会有所不同。

⁴对于存储卡数据恢复过程中出现的任何数据损坏/损失或费用，三星概不负责。六重防护仅针对1TB UHS-1 microSD存储卡，不包括256GB SD Express microSD存储卡。1米深度，海水，持续72小时。工作温度-25℃至85℃（-13°F to 185°F），非工作温度-40℃至85℃ （-40°F to 185°F）。可承受标准机场X光机器（高达100mGy）。相当于高磁场MRI扫描仪的磁场（高达15,000高斯）。可承受高达5米（16.4 英尺）的摔落。最高10,000 次插拔。

审核编辑：刘清