光谷实验室研发短波红外成像胶体量子点芯片

近日，首个胶体量子点成像芯片在光谷实验室研发成功，其具备优异性能。该芯片已能实现短波红外成像，面阵规模达到30万，盲元率低于每十万个像素中只有6个因素导致信号丢失，图像波长范围为0.4至1.7微米，暗电流密度小于50纳安每平方厘米，而外部量子效率超过了60%。这一研发成就体现出中国光谷在先进科技领域的强大实力和创新能力。

据悉，该项目负责人表示，该新型成像芯片的优势在于图像分辨率高（理论上像素尺寸仅受限于艾利斑直径），适用于多种基底，可定制探测波段，不再受到衬底吸收影响，且可以进行大规模生产，并兼容12英寸CMOS晶圆制备工艺，生产成本较低，具颠覆市场之势。

该研究团队经过四年艰苦奋战（全力攻关量子点技术），利用低温溶液法制备工艺，成功开发出能与硅基芯片集成的量子点短波红外成像芯片，其探测波段范围远胜过传统铟镓砷芯片，制造成本仅占后者的近百分之一。这种巨大的价格优势，让量子点芯片有望在新市场领域大展拳脚。