瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证
3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。
这3款产品导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C ～175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。这3款产品的型号及主要参数如下表：
瞻芯电子第二代SiC MOSFET
瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的， 自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来，至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品，对比上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件的比导通电阻降低约25%，能进一步降低器件损耗，提升系统效率。
产品应用
瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品，因其具备高速开关，且低损耗，以及良好的驱动兼容性等优秀特性，而能为功率变换系统提供高频、高效率的解决方案，主要适用于下列场景：
电机驱动
光伏逆变器
车载直流变换器（DC/DC）
车载充电机(OBC)
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
146文章
7148浏览量
213074 -
导通电阻
+关注
关注
0文章
348浏览量
19789 -
SiC
+关注
关注
29文章
2797浏览量
62584 -
驱动电压
+关注
关注
0文章
79浏览量
13357 -
瞻芯电子
+关注
关注
0文章
53浏览量
389
原文标题：瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品
文章出处：【微信号：瞻芯电子，微信公众号：瞻芯电子】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC 肖特基二极管(SBD)产品，助力高效大功率应用
为了满足高效、大功率变换系统应用需要，瞻芯电子开发了4款1200V 60A
瞻芯电子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千万颗 产品长期可靠性得到验证
来源：瞻芯电子 近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，
基本半导体碳化硅MOSFET通过车规级认证，为汽车电子注入新动力
近日，中国半导体行业的佼佼者——基本半导体公司，再次在科技领域迈出坚实步伐。该公司自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通过了AEC-Q101车
多款产品通过车规认证，国产SiC MOSFET加速上车
潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。 最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET
蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车
瞻芯电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获车规认证
出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技术的SMPD塑封半桥模块产品，并顺利通过了车
工商网监
评论