三星电子采用大规模回流模制底部填充技术吗？
据报道，随着人工智能浪潮引发对高性能半导体的巨量需求，三星电子计划引进SK海力士的大规模回流模制底部填充（MR-MUF）技术。但此消息被三星否认，其声明显示“从未考虑在半导体芯片生产中运用此技术”。
尽管面对AI热潮及HBM需求的飙升，三星电子仍未与英伟达达成HBM芯片供应协议。分析指出，其坚持使用热压非导电薄膜（TC NCF）制程，可能导致产能问题。对比之下，SK海力士已将问题归结于NCF，转而采用MR-MUF向英伟达提供HBM3解决方案。
多位业内分析者透露，三星HBM3芯片生产良率仅有约10%至20%，而SK海力士则高达60%至70%。此外，三星还在积极与日本名古屋电解研等企业商讨MUF材料供应事宜。
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