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预期HBM供应将大幅增长,驱动DRAM产业发展

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-03-18 16:01 次阅读

据调研公司 TrendForce 数据显示,展望至 2024年末,全球DRAM行业HBM TSV(硅通孔)的实际产量预计将提升至25万吨/每分钟,约占全球DRAM总量的14%。值得注意的是,HBM供应量在这几年间逐年增长,年增长率高达260%。另据估计,2023年轻,HBM的产值在整个DRAM行业内所占比重约为8.4%,但到2024年末,这个比例将上升至20.1%。

担任分析师职务的人员对于HBM的面貌做出解释,指出与同等容量和制程的 DDR5比较,HBM虽然能提供更大的尺寸储存空间,然而其良品率却相对较低,普遍低20%-30%。在生产周期上,相比于 DDR5,HBM的制造过程(包括TSV)要更为复杂,通常需多耗时1.5~2个月。

由于HBM生产周期较长,从投片到完成产出、封装的过程综合下来可能超过两个季度,因此提前预订的购买者才能保证足够的供货需求。

据该公司所得信息,大部分针对2024年度的订单都已交付给供应商。

同时,该研究机构也对主要的HBM制造商预设的HBM/TSV产能进行预测,如三星年内每分钟HBM TSV产量或将高达13万吨,紧接着是SK海力士,产能估算范围为12-12.5万吨,美光稍显不足,预期产能仅有2万吨。当前,三星、sk海力士两大厂计划增加HMB产能最为积极,特别是SK海力士在HBM3市场的份额已经超过90%,而三星将连续多个季度持续增加产能,该举措将得益于 AMD MI300芯片的逐步推广和销售量的稳定增长。

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