英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
该产品的推出,不仅是对市场需求的精准把握,更是英飞凌在半导体技术领域的深厚积累和创新能力的体现。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,其高电压和开关频率性能尤为突出,即使在严格的工作环境下,也能确保系统的可靠性不受影响。
而它采用的TO-247PLUS-4-HCC封装,具有出色的电气性能,爬电距离和电气间隙分别为14mm和5.4mm,为产品在实际应用中的稳定工作提供了有力保障。此外,该半导体器件的较低开关损耗,使其特别适用于太阳能(如组串逆变器)、储能系统和电动汽车充电等应用,有效提升了这些领域的能效表现。
英飞凌的这一创新产品,不仅满足了市场对高功率密度、高电压和高开关频率的需求,更以其卓越的性能和可靠性,推动了太阳能、储能系统和电动汽车充电等领域的快速发展。未来,随着技术的不断进步和市场的持续扩大,我们有理由相信,英飞凌将继续以其创新的产品和解决方案,引领半导体行业的发展,为全球客户提供更优质的服务和体验。
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