三菱电机计划在熊本县菊池市的现有工厂厂区内投资约1000亿日元(折合人民币约48.56亿元)建设新的SiC(碳化硅)晶圆厂。这座新厂房将专门用于生产8英寸SiC晶圆,预计在2026年4月启用生产。
三菱电机表示,与2022年相比,公司2026年的晶片产能将扩大约5倍。
这一投资举措是三菱电机为了增强其SiC功率半导体的生产体系,以应对日益增长的市场需求。
据介绍,新大楼共六层,总建筑面积约42,000平方米。它具备生产直径为200毫米(8 英寸)的 SiC 晶圆的功率半导体的前端工艺。所有的工序将接入自动输送系统,打造高效率生产线。三菱电机计划根据不断增长的需求逐步提高产能。
在当天举行的奠基仪式上,三菱电机高级执行官、半导体和器件部门总经理Masayoshi Takemi强调:“功率半导体将在实现脱碳社会方面发挥重要作用。作为一家专门生产SiC晶片的新工厂,我们也在考虑节能节水事宜”。
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