3 月 21 日,全球著名半导体公司意法半导体携手韩国科技巨头三星共同发布,18nm FD-SOI 工艺正式落地,该技术将集成嵌入式相变存储器(EPCM)。
据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
值得注意的是,尽管制程仅为 18nm,但此项工艺依然保证了各种模拟功能如电源管理及复位系统在 3V 电压环境中正常运行。另外在耐热性、防辐射性能方面都有出色表现,适用于各类严苛的工业领域。
按照计划,首批基于该工艺平台开发的 STM32 MCU 将在下半年投放到选定客户群,预计 2025 年下半年进入大规模生产阶段。
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