三星研发CXL混合存储模组，实现闪存与CPU数据直传

本讯于3月21日，来自三星半导体的官方微信公众号透露，他们正在研发名为CMM-H的混合存储CXL模组。这一模组独特之处在于整合了DRAM内存与NAND闪存。

值得注意的是，作为新型高速互联技术，CXL具备更高的数据处理能力和更低的延迟，能够有效促进CPU与外部设备的结合。

据三星展示的图片显示，此模组可以通过CXL接口在闪存部分及CPU之间进行I/O块传输，也可以运用DRAM缓存和CXL接口达到64字节的内存I/O传输。

据规划，CMM-H模块能更好地简化访问方式，降低总体成本（TCO），成为持久内存的潜在选择。

按照三星今年上半年的计划，我们有望见到一款实验性的CMM-H产品，它将搭载FPGA基础的CXL1.1控制器和E3.L2T规格，最大容量为4TB且带宽高达8Gb/s。

展望未来，既然预计方向是商业量产的CMM-H模块，那么基于ASIC成熟控制器的CXL3.0规范应在2026年得以应用，由此模组的最大容量可达到16TB，带宽亦能提升到64Gb/s。

关于另一方面的内容，即更为传统的CXL-D纯内存CXL存储模组，三星计划在明年第一季度推出一款基于1b nm制程并拥有6400 MT/s速度的128GB第二代产品。

更为详细的描述中，我们知道后续的产品线中还将看到512GB以及256GB容量的第二代CXL-D模组。