韩国《朝鲜日报》报道,尽管英伟达首席执行官黄仁勋已开始测试三星的HBM3E,但尚未正式采用。实际上,SK海力士仍然在该领域独占鳌头。
报道透露,黄仁勋曾在英伟达的年度会议“GTC 2024”上,巡视各参展厂商。当他查看三星电子的HBM3E展览时,亲笔写下了“Jensen Approved”的字样。对此,三星电子美洲区副总裁金满汉在领英平台上传了一渲染图,配文表示:“黄仁勋亲自批准三星电子的HBM3E。”
然而,就在前一日,面对记者关于三星电子HBM的提问,黄仁勋回答:“我们尚未启用,正进行资格认证。”
现如今,SK海力士为英伟达AI半导体提供主要HBM产品,同时自去年起,美光公司也加入了该供应阵营。据悉,相比其他竞争对手,三星电子在HBM授权上大约晚了一年有余。
针对此事,一名半导体行业观察人士提出:“英伟达采用HBM3E或许意在激励制造商们的积极性。这个变化背后的意义扑朔迷离,但显然,多家供应商将展开激烈角逐。”
对比三星电子与SK海力士在HBM市场竞争力,根据ChosunBiz的统计显示:尽管两者共同占领了该市场,但SK海力士以近90%的市场份额领跑于高端第四代HBM(HBM3)市场(依据TrendForce的数据)。
值得注意的是,HMB的平均售价是DDR4DRAM的五倍之多。因此,随着SK海力士于去年第四季度在全球半导体存储市场重新盈利,HBM功不可没。
在HBM市场方面,双方的竞争焦点集中在第三代HBM(HBM2E)。尤其是SK海力士抢先引进了TSV制程中具有技术难度的Mass Reflow Molded Underfill(MR- MUF)技术。此项技术不仅避免了堆叠芯片间的直接接触,提高了系统效率,而且还改善了芯片散热性能,使SK海力士在这一领域更具优势。
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