AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管
概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素
特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
场效应晶体管
+关注
关注
6文章
363浏览量
19495
发布评论请先 登录
相关推荐
N通道和P通道场效应晶体管(FET)之间的区别是什么?
晶体管是现代电子电路中至关重要的半导体器件。它们可以执行两种主要功能。首先，作为其真空管前身三极管，晶体管可以放大电信号。其次，晶体管可以作为计算机的信息处理和存储的开关设备。
结型场效应晶体管和N沟道场效应晶体管有什么区别
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）和N沟道场效应晶体管（N-Channel Field-Effect Transisto
如何选择场效应晶体管
在选择场效应晶体管（FET）时，需要考虑多个因素以确保所选器件能够满足特定的应用需求，同时保证电路的性能和可靠性。以下是一个详细的选择场效应晶体管的指南，包括关键步骤、考虑因素以及具体的应用建议。
什么是结型场效应晶体管
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）是一种基于场效应原理工作的三端有源器件，其特点在于通过改变外加电场来调制半导体沟道中的电流，从而实现
场效应晶体管和双极性晶体管有什么区别
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）和双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT，也称双极性结型
场效应晶体管利用什么原理控制
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。它具有高输入阻抗、低噪声、快速响应等优点，在电子技术领域得到了广泛的应用。 一
N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表
电子发烧友网站提供《N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-28 15:43
•0次下载
共漏双n通道增强模场效应晶体管AO8810/L数据手册
概述AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810
发表于 03-11 17:06
•0次下载
场效应晶体管怎么代替继电器 晶体管输出和继电器输出的区别
继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关，实现对电路的控制。而场效应晶体管（MOS管）是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管，通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
工商网监
评论