3月25日报道,英伟达即将自九月起大批量采购三星电子提供的12层HBM3E内存,该内存由三星独家供应。
在GTC2024大会上,黄仁勋为三星电子12层HBM3E原件签字评价“黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)”。
虽然SK海力士在部分制造过程中遇到困难,未能如期推出12层HBM3E产品,但将在本月底启动批量生产8层HBM3E。
此前,三星已于2月27日宣布研发出全球首款36GB 12H HBM3E DRAM内存。
据悉,HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量,较8层堆叠的HBM3 8H,分别提升了50%以上的带宽及容量。
与此同时,应用该内存的人工智能训练速率平均提高了34%,推理服务能力更是提高了超乎想象的11.5倍。
对比而言,威盛在2024年的技术型展会中,崭新推出了B200和GB200系列芯片。
据黄仁勋介绍,B200芯片搭载了2,080亿枚晶体管,借助台积电4NP工艺,最大可支持约10万亿个人工智能参数,并实现单GPU达20PFLOPS的强大运算能力。
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