SK海力士计划在印第安纳州投资40亿美元建芯片封装工厂

据可靠消息报道，全球知名科技巨头 NVIDIA（NVDA）的重要供应商韩国 SK 海力士（SK Hynix）有意斥资高达 40 亿美元，在美国印第安纳州兴建一座尖端芯片封装制造中心。这一决策有望极大地提振美国总统拜登恢复美国半导体强国地位的威望。

据称，新工厂地处普渡大学（Purdue University）附近，预计创造就业岗位800至1，000个，同时，普渡大学则是全美规模最大的半导体与微电子工程项目所在地之一。此外，SK 海力士还将享受到地方及联邦税费优惠政策以及其他形式援助，助力其建立新的生产线。

据了解，该厂预计在2028年启动运营。进而，SK 海力士即将召开董事会会议，对该项建厂计划进行表决，尽早达成决定。值得强调的是，SK 海力士一度有考虑在亚利桑那州设厂，然而选择印第安纳州，其中一大原因即为普渡大学能够供应充足的熟练工程师。

针对此事，SK 海力士的发言人回应称，该公司正针对在美国投资建设高度集成电路封装设施的可能性进行深入研究，但尚未做出明确决定。同样值得关注的是，英国《金融时报》（FT）此前也曾对SK 海力士拟在印第安纳州设立芯片包装工厂的相关事宜进行过报道。

深度封装制造是半导体制造流程的最后阶段，也是拜登政府“美国芯片法案”（U.S. Chips Act）的核心环节，后者承诺未来数年内投入高达30亿美元，用于鼓励国内增加此类生产。SK 海力士此举将为美国国内首次铺设大规模HBM封装生产线铺平道路。HBM是运用最前沿的封装技术及材料，将单个DRAM芯片高效地堆叠组合的核心技术，能在一瞬之间处理多达230部高清影片级别的庞大数据。

根据SemiAnalysis的最新预测，按存储容量单位Gigabyte（GB）计算，SK 海力士占据了大约73%的HBM市场份额，紧随其后的三星电子占比22%，爱达荷州的Micron Technology（MU-US）仅占据5%。SK 海力士目前仍在韩国生产和封装其HBM芯片。

然而，国际商业策略咨询公司International Business Strategies的Handel Jones认为，SK 海力士若在美国修建封装工厂，估计成本相较于本土韩国工厂会稍有上升，但美国政府提供的财政奖励金有助于抵消部分额外支出。