浅析多晶硅锭中位错存在的两种来源
根据晶体凝固生长与位错形成、运动与增殖的理论，多晶硅锭中位错存在两种来源：原生和增殖。
原生位错
原生位错是从无到有的过程，凝固长晶过程实质上就是无序的熔融态硅原子排列成有序的晶体硅的过程，过程中当某些硅原子排列错误时，原生位错等晶体缺陷就形成。 
增值位错
增殖位错是从少到多的过程，是已有位错的基础上，由于应力作用驱动位错运动而导致的位错成倍复制增加（multiplication）。这个应力要高于 一定水平方能启动增殖，一般这个水平相当于晶体的塑性屈服应力。 
应力来源是固体温度分布不均造成的热应力，它在大尺寸晶体内部很难避免。晶体中位错的增殖能力很强，可以达到数百倍。因此就数量而言，凝固生长完成后晶体中的位错大部分应为增殖位错，但它们的根源是原生位错。在无位错的硅晶体中由热应力诱发位错几不可能，因所需应力达到GPa量级；而如硅晶体中已有位错存在，在凝固点附近温度其位错增殖启动应力低于10MPa，这是通常硅晶体凝固生长中能够达到的热应力水平。多晶硅锭定向凝固生长中原生位错不可避免，位错增殖问题随即而来。
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
多晶硅
+关注
关注
3文章
241浏览量
29297
原文标题：多晶硅锭中位错的来源
文章出处：【微信号：bdtdsj，微信公众号：中科院半导体所】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
低温多晶硅的工作原理是什么？
低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。
发表于 09-18 09:11
多晶硅产业发展浅析
世界多晶硅生产及市场发展1．1 太阳能电池对多晶硅材料需求量迅速增长近年来，受到硅太阳能电池发展所驱动，多晶硅市场得以迅猛增长；未来的世界多晶硅
发表于 12-14 09:56
•21次下载
低温多晶硅,低温多晶硅是什么意思
低温多晶硅,低温多晶硅是什么意思
低温多晶硅的全称是“Low Temperature Poly-Silicon（LTPS，多晶硅又简称为p-Si
发表于 03-27 11:42
•836次阅读
多晶硅锭的制备工艺以及硅片的加工工艺介绍
一、多晶硅锭的制备工艺 根据生长方法的不同，多晶硅可分为等轴晶、柱状晶。通常在热过冷及自由凝固的情况下会形成等轴晶，其特点是晶粒细，机械物理性能各向同性。如果在凝固过程中控制液固界面的
发表于 12-29 11:41
•6821次阅读
多晶硅涨价究竟是谁的错？
最近做火爆的话题就是多晶硅涨价，不管是行业内还是投资界都在热议多晶硅涨价，多晶硅涨价也造成了很多奇葩的现像，大家又开始坐不住了，对多晶硅冷嘲热讽以致死心并强行带着“三高”帽子的人们，发
工商网监
评论