0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NMOS和PMOS电流流向以及导通条件

泛海微ic 来源:泛海微ic 作者:泛海微ic 2024-04-03 17:41 次阅读

NMOS(N型金属氧化物半导体)和PMOS(P型金属氧化物半导体)是两种基本的场效应晶体管(FET)类型,它们在电子设备中发挥着至关重要的作用。了解这两种晶体管的电流流向以及导通条件对于理解它们的工作原理和应用至关重要。

导通条件

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);

PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)。

NMOS管,一般使用NMOS作为下管使用,S极直接接地(电压为固定值0V),只需将G极电压Vgs达到大于一定的值就会导通;PMOS,一般使用PMOS作为上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低,Vgs小于一定的值就会导通。

首先,让我们从NMOS开始。NMOS晶体管主要由三个电极组成:栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。在NMOS晶体管中,当栅极电压低于源极和漏极的电压时,晶体管会导通。这是因为在NMOS晶体管中,沟道是由电子形成的,当栅极电压降低时,它会吸引沟道中的电子,使得沟道变窄,从而允许电流从源极流向漏极。因此,NMOS晶体管的电流流向是从源极到漏极。

PMOS晶体管的结构与NMOS相似,也由栅极、源极和漏极三个电极组成。然而,PMOS晶体管的工作原理与NMOS不同。在PMOS晶体管中,沟道是由空穴形成的,而不是电子。当栅极电压高于源极和漏极的电压时,PMOS晶体管会导通。这是因为栅极电压的增加会排斥沟道中的空穴,使得沟道变窄,从而允许电流从源极流向漏极。因此,PMOS晶体管的电流流向也是从源极到漏极。

了解NMOS和PMOS的导通条件对于正确地设计电子设备至关重要。在实际应用中,NMOS和PMOS晶体管通常用于构建逻辑门、放大器和开关等电路。在逻辑门中,NMOS和PMOS晶体管可以组合使用,以构建出AND、OR、NOT等逻辑门电路。在放大器中,NMOS和PMOS晶体管可以用于放大电压或电流信号。在开关中,NMOS和PMOS晶体管可以用于控制电流的通断。

此外,NMOS和PMOS晶体管还具有一些其他的特性。例如,NMOS晶体管通常具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗,这使得它在某些应用中比PMOS晶体管更具优势。而PMOS晶体管则通常具有较高的输出阻抗和较低的输入阻抗,这使得它在某些应用中比NMOS晶体管更具优势。

总之,了解NMOS和PMOS的电流流向以及导通条件是理解它们的工作原理和应用的关键。通过正确地设计和应用NMOS和PMOS晶体管,我们可以构建出各种复杂的电子设备,从而满足不同的需求和应用场景。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NMOS
    +关注

    关注

    3

    文章

    289

    浏览量

    34286
  • PMOS
    +关注

    关注

    4

    文章

    244

    浏览量

    29477
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    晶闸管非正常通条件有哪些

    晶闸管(Thyristor)是一种四层三端半导体器件,也称为硅控制整流器(SCR),主要用于电力电子领域的开关控制。晶闸管在正常工作时,需要满足一定的通条件,否则可能会发生非正常通,导致器件损坏
    的头像 发表于 10-08 10:03 276次阅读

    P沟道场效应管的通条件

    P沟道场效应管(P-channel Field-Effect Transistor,简称P-FET)的通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管通条件的详细介绍,旨
    的头像 发表于 09-23 17:12 1142次阅读

    PMOS做电源防倒灌、防电源反接、固态开关电路

    用MOS做高侧开关时,PMOSNMOS更便于控制:1、不用额外的电荷泵升压;2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步,PMOS通内阻上的参数也逐渐好转,使得
    发表于 09-03 11:51

    pmos开关条件怎么控制电流大小

    PMOS晶体管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件,具有许多优点,如低功耗、高速度和良好的集成性。然而,要充分利用PMOS晶体管的性能,我们需要了解其工作原理以及如何通过控制其开关条件
    的头像 发表于 08-01 09:07 1317次阅读

    MOS管的通条件通特性

    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层半导体场效应晶体管)作为电子工程中的重要元件,其通条件通特性对于电路设计和性能优化至关重要。以下将详
    的头像 发表于 07-16 11:40 4279次阅读

    DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀

    NMOS管的主回路电流方向为D极到S极,通条件为VGS有一定的压差,即VG-VS>VTH;PMOS管的主回路
    的头像 发表于 06-24 05:40 741次阅读
    DCDC 高端 <b class='flag-5'>NMOS</b> 的自举秘诀

    NMOSPMOS、CMOS的结构

    )和PMOS(P型金属氧化物半导体)。而CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)则是由NMOSPMOS组成的集成电路技术。本文将详细介绍
    的头像 发表于 05-28 14:40 6503次阅读

    NMOSPMOS经典电源开关电路的深入解析

    NMOS低边开关电路切换的是对地的通,PMOS作为高边开关电路切换的是对电源的通。
    发表于 04-10 11:45 6723次阅读
    <b class='flag-5'>NMOS</b>与<b class='flag-5'>PMOS</b>经典电源开关电路的深入解析

    晶闸管的通条件及关断条件?

    。 晶闸管的结构由四个不同类型的半导体材料组成,依次是pnpn型的结构,通常由三个区域组成:Anode(阳极)、Cathode(阴极)和Gate(门极)。晶闸管在通时,电流可以从阳极流向阴极。
    的头像 发表于 03-12 15:01 4018次阅读

    NMOS管和PMOS管如何做开关控制电路

    NMOS当下管,即S极(源极)直接接地,只需控制G极(栅极)电压即可控制NMOS管的通或截止,因为MOS管通的条件取决于VGS的压差。
    发表于 01-15 18:17 4492次阅读
    <b class='flag-5'>NMOS</b>管和<b class='flag-5'>PMOS</b>管如何做开关控制电路

    MPS | DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀

    NMOS管的主回路电流方向为D极到S极,通条件为VGS有一定的压差,即VG-VS>VTH;PMOS管的主回路
    的头像 发表于 01-05 05:28 1193次阅读
    MPS | DCDC 高端 <b class='flag-5'>NMOS</b> 的自举秘诀

    P沟道MOS管通条件有哪些

    电子设备中。与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管的导电沟道由P型半导体材料构成,因此其通条件与N沟道MOS管有所不同。本文将对P沟道MOS管的通条件进行详细介绍。 首先,我们需要了
    的头像 发表于 12-28 15:39 5038次阅读

    如何设计一个nmos管和一个pmos管的开关电路

    。 一、NMOS管和PMOS管的工作原理: NMOS管是一种n型金属氧化物半导体场效应晶体管,常用于高电平控制低电平的开关电路。当Vgs(门极电压)大于Vth(临界电压)时,NMOS
    的头像 发表于 12-21 16:57 5839次阅读

    nmospmos符号区别

    详尽论述NMOSPMOS的符号区别以及相关的特点。 NMOS代表n型金属氧化物半导体,它是以n型材料为基础的晶体管。相比之下,PMOS代表
    的头像 发表于 12-18 13:56 7428次阅读

    pmosnmos组成构成什么电路

    。 首先,我们来了解一下PMOSNMOS的结构和工作原理。 PMOS是由一块P型半导体和两块N型半导体组成。这三块半
    的头像 发表于 12-07 09:15 4634次阅读