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星曜半导体发布两款TF-SAW双工器,满足5G手机的高速率需求

MEMS 来源:MEMS 2024-04-01 09:41 次阅读
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全球5G通信技术的大力发展推动射频前端器件需求大幅提升。在所需芯片数量持续增加和可用布版面积日益减少的矛盾下,射频系统架构不断更新迭代。目前,5G手机通过支持更多的EN-DC和DL-CA的频段组合,来满足用户对于高速率的需求,其中B20和B28F频段LB+LB的EN-DC组合十分常见。

星曜半导体本次发布的两款TF-SAW双工器——B20 Tx & B20+B28F Rx和B28F Tx & B20+B28F Rx,则是针对这一应用的特殊优化。该两款双工器由于其带宽过宽、发射和接收间隔极小等特点,开发难度极大,一直是国内极稀缺产品。两颗双工器配套使用,支持B20+B28F EN-DC,能有效适配高成本Phase7 LE方案,并为系统节省一根天线,如Fig. 1所示:

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Fig. 1 B20+B28F双工器产品应用方案示意图

本次发布的两款双工器芯片,封装尺寸均为1.8mm x 1.4mm,采用高性能的TF-SAW工艺,其谐振单元Q值与同频段BAW谐振器接近。

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(a) B20 Tx & B20+B28F Rx (STD081018A1)

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(b) B28F Tx & B20+B28F Rx (STD076218A1)

Fig. 2 星曜半导体两款双工器产品实拍图

Part 1.B20 Tx & B20+B28F Rx 双工器

该款双工器发射工作频率为832 ~ 862MHz,接收工作频率为758 ~ 821MHz。发射通道与接收通道的工作频率间隔仅11MHz,超高Q值TF-SAW谐振器技术极大地抑制了通带及周边的杂波,使得该双工器能够满足带外陡降的高要求。产品不仅具有更好的通带性能,而且在带外抑制方面也表现出色。Tx带内插损小于1.7dB、Rx带内插损小于1.5dB,在Tx频段隔离大于58dB、在Rx频段隔离大于55dB,性能达到国际顶尖水平,充分满足客户的高端使用需求。

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Fig. 3 B20 Tx & B20+B28F Rx双工器实测数据

(a) B20 Tx IL; (b) B20+B28F Rx IL; (c) TRx narrow band; (d) TRx wide band; (e) TRx isolation; (f) Tx/ANT VSWR; (g) Rx/ANT VSWR

Part 2.B28F Tx & B20+B28F Rx 双工器

该款双工器发射工作频率为703 ~ 748MHz,接收工作频率为758 ~ 821MHz,发射通道与接收通道的工作频率间隔仅10MHz。得益于TF-SAW高Q值的特性,产品具备更好的无源性能,在带内插损和带外抑制方面表现优异,Tx通带插损典型值均小于1.7dB、Rx通带插损典型值均小于2.0dB,在Tx与Rx频段隔离均大于54dB,综合性能达到国际一线大厂产品水准,充分证明了星曜半导体产品的全面领先优势。

59bd56dc-edf0-11ee-a297-92fbcf53809c.png

Fig. 4 B28F Tx & B20+B28F Rx双工器实测数据

(a) B28F Tx IL; (b) B20+B28F Rx IL; (c) TRx narrow band; (d) TRx wide band; (e) TRx isolation; (f) Tx/ANT VSWR; (g) Rx/ANT VSWR

值得一提的是,目前有能力自研和大规模量产TF-SAW滤波器的企业数量极少。星曜半导体与POI晶圆厂家深度合作,定制开发适合不同频段、不同产品的POI晶圆,已经自主研发完成了TF-SAW全频段系列谐振器、滤波器、双工器以及四工器,并实现在客户项目大规模量产出货,TF-SAW总体技术水平和出货数据位居国内领先位置。星曜TF-SAW系列产品频率覆盖范围从600MHz到2.7GHz,充分体现了国产滤波器芯片厂家技术能力的关键突破和重大跨越。未来,星曜半导体将继续致力于开发更高性能、更具市场竞争力的射频滤波器和模组芯片,持续拓展国产射频芯片企业的产业化供应新局面。



审核编辑:刘清

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原文标题:星曜半导体国内首发两款TF-SAW双工器,满足5G手机的高速率需求

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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