近日,希捷公司与日本的两家科研单位——日本国立材料研究所(NIMS)及日本东北大学联手,开发出一种名为多级堆栈的技术,预计十至十五年后,该技术将实现120TB以上的硬盘存储量。
其关键手段是应用热辅助磁记录 (HAMR) 技术,这一技术的运用与传统的垂直磁记录 (PMR) 技术相比,可使磁盘的磁区密度和存储能力翻番。
此次,希捷与合作伙伴共同研发了多级热辅助记录技术,并已成功验证了在双层颗粒介质上重复进行磁记录的可能性。
他们建造了一种独特的颗粒介质,这种介质由两层FePt-C纳米颗粒薄膜组成,中间包含具有立方晶体结构的Ru-C间隔层,使得每一层都能够独立记录其对应的周围磁场和温度变化。
换言之,在不改变磁层材料的基础上,他们成功地将存储密度和存储容量提升到了原来的两倍。
这项突破性的成果,得益于他们发现的一种新型颗粒介质:两层FePT膜之间用Ru-C间隔层分开。这种介质可在温度和磁场条件变化时,各自记录不同的信息。
此外,研究者还发现,通过调节写入激光能量和磁场强度,可以独立控制双层FePT膜,从而有效提高记录密度。他们预测,利用双层颗粒介质,记录密度可以达到惊人的10 Tbit/in^2,因此,10块这样的硬盘合并起来就能实现超过120 TB的总容量。
更令人振奋的是,研究者表示,热辅助磁记忆技术的磁性测试和模拟结果显示,多级HAMR介质理论上最多可以支持到三级甚至四级的记录方式。
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