作为对美国联邦给予的66亿美元援助款项之回应,台积电同意将在美投资增至650亿美元以上,同时承诺在美建立具备世界顶尖水平的2纳米芯片生产线。
美国商务部部长吉娜·雷蒙多强调,台积电计划在亚利桑那州凤城市设立一个先前未透露过的第三座芯片工厂,该项目将在2030年全面运作。依照台积电的最新投资计划,到那时,全美的高端芯片产量有望占据全球总产量的近20%。
另外,台积电还将获得总额50亿美元的贷款,同时享受最高达资本支出25%的投资税务抵扣待遇。雷蒙多在正式发布此消息之前说道:“美国将会首次实现大量生产全球顶尖的半导体芯片,这些芯片将满足所有人工智能(AI)的需求。”
据雷蒙多透露,已有14家相关企业决定在亚利桑那州及其它美国地区建设或扩大生产基地,以服务于台积电的制造厂;台积电的主要客户均为美国当地企业,他们都乐意采用美国产的芯片产品。
台积电亚利桑那州新建的首家工厂将推出4纳米制程级别的芯片,该项目预计会在2025年启动;台积电曾计划开发3纳米制程边缘的芯片,目前则已表明该计划将延期至2028年启用;至于即将筹建的第三家工厂,台积电表示将专注生产2 nm及以下的更高级别芯片。
值得强调的是,此次台积电获得的政府扶持资金在《芯片与科学法案》中列居次席,仅次于德国半导体巨头英特尔所获的85亿美元拨款及总值超过110亿美元的额外贷款。
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