近日,EPC Space宣布与全球领先的电子元件和服务分销商——安富利(Avnet)签署了一项重要的分销协议。根据协议,安富利将成为EPC Space耐辐射氮化镓(GaN)功率器件系列的全球分销商,这批产品主要服务于卫星和高可靠性应用领域。
EPC Space是Efficient Power Conversion(EPC)和HEICO旗下公司VPT的合资企业,作为最大的硅基GaN功率器件生产商之一,EPC Space已经在抗辐射GaN-on-Si晶体管和IC的研发领域取得了显著的成就。此次与安富利的协议进一步扩展了EPC Space在全球市场的影响力,并确立了其产品在高可靠性电子市场中的地位。
EPC Space的耐辐射氮化镓(GaN)功率器件系列产品已经通过了严苛的封装、测试和认证过程,可在极端环境下提供卓越的性能,特别是在卫星通信、深空探测任务以及其他要求高可靠性的应用中表现出色。这些产品展现了与传统硅基器件相比的显著优势,包括更高的开关频率、更强的功率密度以及更好的辐射抗干扰能力。
EPC Space在一份声明中指出,随着太空探索活动的不断增加,对于高性能、高可靠性的电子组件的需求日益增长。EPC Space的eGaN晶体管正逐渐成为满足这些应用更高开关频率、功率和辐射硬度需求的首选解决方案。此次合作将使得EPC Space的创新技术得以通过安富利的全球网络向更广泛的市场推广。
这项合作对于EPC Space和安富利来说都是具有战略意义的一步。它将使EPC Space的高性能产品得以更快地进入市场,并通过安富利的全球分销网络触达更多客户。同时,安富利将通过这种合作加强其在高增长潜力市场中的产品线和市场地位,为客户提供更广泛的选择。
氮化镓(GaN)作为新一代电力电子器件的代表,因其高效率和高频运作的能力而受到业界关注。EPC Space和安富利的合作不仅预示着这一领域的商业潜力,也反映了两家公司对于高科技电子市场趋势的深刻理解和积极布局。随着这种耐辐射GaN功率器件的不断发展和优化,未来在太空以及其他极端环境下的电子应用将变得更加可靠和高效。
-
电子元件
+关注
关注
94文章
1399浏览量
56928 -
功率器件
+关注
关注
42文章
1820浏览量
90852 -
GaN
+关注
关注
19文章
2048浏览量
74766
发布评论请先 登录
相关推荐
国内首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功,并通过太空验证!

应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局

安森美GaN功率器件的功能和优点

GaN MOSFET 器件结构及原理
瑞萨电子收购Transphorm,加速GaN功率半导体市场布局
CGD推出高效环保GaN功率器件
CGD推出新款低热阻GaN功率IC封装
如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器

SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

耐辐射保障1.3A、2.5A、半桥 GaN FET 栅极驱动器TPS7H60x3-SP数据表

评论