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光谷诞生全球集成度最高光电芯片

第三代半导体产业 来源:长江日报 2024-04-11 09:42 次阅读

4月9日,2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会开幕。九峰山实验室主任丁琪超在开幕式上向全球来宾推介实验室,他介绍,九峰山实验室定位于“化合物半导体研发和创新平台”,以开放、公共、共享的价值观,服务于全产业链和科研界。同时,他带来了第一张8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆,这也是全球范围内目前集成度最高的光电芯片。

从“窄”到“宽”具备全链条研发能力

丁琪超介绍,实验室搭建了丰富的化合物半导体材料体系,可以支撑从“窄禁带”“宽禁带”到“超宽禁带”半导体一系列工艺研发过程,同时也布局了如铌酸锂材料、PZT材料等特色的功能性材料。

丁琪超介绍,团队通过一年半到两年时间进行建设和工艺制成调试,已全线贯通7条特色工艺线,每条工业线具备小批量产能,支撑科研和技术在平台研发后可以快速进行产业转化和产品实现。

丁琪超介绍,实验室投资4亿元,同步建设了一个先进的检测分析平台,已具备比较先进的芯片检测能力。去年以来,这块业务持续增长,为全国20多个省市的企业和单位提供了服务。

“异质集成”能力做到全球一流

丁琪超重点介绍了实验室的6个技术能力体系。如实验室核心技术方向之一的“异质集成”,能通过8英寸硅集成不同化合物半导体材料,发挥不同材料最优势特性,集成相关芯片。所以我们基本上实现8英寸硅基薄膜铌酸锂异质集成技术。他还展示了8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆,这也是全球范围内目前集成度最高的光电芯片。

在“化合物外延”这一技术能力构建中,实验室已建设3000平方米外延中心,涵盖了非常丰富的设备种类体系;在“集成微波无源器件”这一技术能力构建中,实验室通过人工智能最新的一些建模技术,实现了非常丰富的无源基于硅基射频电路模型,精度达到小于2%误差;在介绍“碳化硅(SiC)沟槽”技术能力时,他表示,实验室从初期就布局沟槽型SIC技术能力,持续攻克关键难点工艺,例如可实现3μmm以上超深结构刻蚀。他还现场展示了昨天刚下线的新版本的碳化硅MOSFET器件。

丁琪超介绍,针对异质集成实验室一直认为的未来重点发展方向,九峰山实验室将持续推出基于异质集成相应技术的实现和突破。同时,实验室还发布了五个开放式基金课题,期待与更多同仁一起合作,一起推进相应的技术开发。

审核编辑:黄飞

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原文标题:九峰山实验室主任丁琪超:全球范围内目前集成度最高的光电芯片诞生在光谷

文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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