0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

英飞凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技术封装

深圳市浮思特科技有限公司 2024-04-15 15:49 次阅读

近日,全球半导体行业的领导者英飞凌科技股份公司宣布推出一款新型封装——SSO10T TSC,该封装基于其先进的OptiMOS™ MOSFET技术,专为满足汽车电子产品中对热效率和空间利用有严苛要求的场合设计。

wKgaomYc2-KAYu6SAABWKkAoSog494.png

在现代汽车中,随着电子控制单元(ECU)的功能越来越复杂,其产生的热量也在持续增加。这些热量如果不妥善处理,不仅会降低电子元件的性能,更有可能损害整个系统的安全性能。

英飞凌新推出的SSO10T TSC封装便是为解决这一问题而生。该封装采用了独特的顶部直接冷却技术,能够有效避免热量传入或通过汽车电子控制单元的PCB,从而提高了整体的热性能。

此外,这种创新封装的推出,使得电子设计工程师能够实现更简单、更紧凑的双面PCB设计。这意味着在未来的汽车电源设计中,冷却需求和系统成本都有望得到显著降低。在当前汽车行业不断追求成本效益与性能提升的大背景下,英飞凌的这一技术创新无疑提供了一个具有吸引力的解决方案。

针对电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等关键汽车应用,SSO10T TSC封装显示出了强大的适用性。这些应用通常要求元件在空间限制和热管理方面表现出色,而英飞凌的这项新技术恰恰能够满足这些要求。

浮思特长期深耕半导体研发与应用领域,也提供 IGBT、IGBT模块和SiC MOSFET 等功率器件,紧跟行业领先的英飞凌,长期专注于半导体研发与应用,英飞凌不仅进一步巩固了其在全球汽车半导体领域的领先地位,也为汽车制造商提供了更为可靠和经济高效的选择。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    66

    文章

    2183

    浏览量

    138645
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7156

    浏览量

    213140
  • 封装
    +关注

    关注

    126

    文章

    7873

    浏览量

    142893
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结
    的头像 发表于 09-03 14:50 515次阅读

    英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

    技术将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET英飞凌进行了巨大的研发投
    的头像 发表于 07-31 08:14 339次阅读
    ​<b class='flag-5'>英飞凌</b>600 V CoolMOS™ 8 <b class='flag-5'>新一代</b>硅基<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技术</b>助力电力电子行业变革

    重磅!英飞凌发布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和数字化目标达成

    2000V CoolSiCTM MOSFET的相关产品。展台工作人员介绍,英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET Gen
    的头像 发表于 07-22 09:10 3251次阅读
    重磅!<b class='flag-5'>英飞凌</b>发布<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅器件方案,助力低碳化和数字化目标达成

    英飞凌推出新型SSO10T TSC顶部冷却封装

    英飞凌科技近日发布了款采用OptiMOSMOSFET技术的SSO10T TSC封装。这款
    的头像 发表于 05-07 15:10 621次阅读

    英飞凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

    英飞凌科技近日推出了其最新的OptiMOS™ 7 80 V系列首款产品——IAUCN08S7N013。这款MOSFET技术不仅显著提升了功率
    的头像 发表于 05-07 15:08 645次阅读

    英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

    英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,
    的头像 发表于 04-20 10:41 1050次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>科技<b class='flag-5'>推出新一代</b>碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>沟槽栅<b class='flag-5'>技术</b>

    英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品

    随着英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品,电机驱动应用领域得到了显著的推进。
    的头像 发表于 04-17 11:08 620次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>技术</b>公司<b class='flag-5'>推出</b>全新的<b class='flag-5'>OptiMOS</b>™ 6 200 V <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列产品

    英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7

      【 2024 年 4 月 15 日 , 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术——
    发表于 04-16 09:58 3838次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>为汽车应用<b class='flag-5'>推出</b>业内导通电阻最低的 80 V <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>OptiMOS</b>™ 7

    长电科技近日推出新一代“5G+”通信芯片封装方案

    长电科技近日推出新一代“5G+”通信芯片封装方案,致力于提升通信技术在恶劣环境下的可靠性和性能。
    的头像 发表于 04-15 10:25 616次阅读

    英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

    英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上
    的头像 发表于 03-20 10:32 940次阅读

    全面提升!英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC
    的头像 发表于 03-19 18:13 2985次阅读
    全面提升!<b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>推出新一代</b>碳化硅<b class='flag-5'>技术</b>CoolSiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2

    英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅技术

    在全球电力电子领域,英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日,该公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术
    的头像 发表于 03-12 09:53 642次阅读

    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

    在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET
    的头像 发表于 03-12 09:43 698次阅读

    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上
    的头像 发表于 03-12 08:13 533次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>推出新一代</b>碳化硅<b class='flag-5'>技术</b>CoolSiC™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2,推动低碳化的高性能系统

    英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

    英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术
    的头像 发表于 12-29 12:30 938次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>推出</b>首款采用<b class='flag-5'>OptiMOS</b> 7<b class='flag-5'>技术</b>的15 V沟槽功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>