纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。
NPC060N120A产品特性
更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)
支持+15V，+18V驱动模式(可实现IGBT兼容：+18 V)
+18V模式对下，RDSon可降低20%
更好的RDSon温度稳定性出色的阈值电压一致性
Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间
体二极管正向压降非常低且稳健性高
100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强
此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：
以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。
NPC060N120A产品选型表
纳芯微SiC MOSFET命名规则
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
146文章
7148浏览量
213077 -
SiC
+关注
关注
29文章
2797浏览量
62590 -
纳芯微
+关注
关注
2文章
238浏览量
14487
发布评论请先 登录
相关推荐
三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级
瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）
东芝推出全新1200V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“
瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q1
Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0
近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M12
纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET
为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。
发表于 04-18 11:00
•450次阅读
瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的1200V 80
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。
至信微发布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片
深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC
工商网监
评论