三星研究建DRAM内存厂，但选封装技术

据韩媒Alphabiz报道，三星电子原本有意在美国建立DRAM内存晶圆厂，然而因多种原因改变计划，改为建立先进封装设施。

近期达成的初步协议显示，三星电子将从美国获得总计高达64亿美元（相当于约464亿元人民币）的补贴，用于建设位于得克萨斯州泰勒市的两大先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂以及一座先进制程研发设施。

据悉，三星电子原计划在泰勒市设立一家10纳米级别的DRAM内存晶圆厂，并在协议签署前进行了深入讨论。

美国为该项目提供了优惠政策，三星方面也表现出浓厚兴趣。然而，由于诸多因素影响，如技术难度大、成本高等，以及韩国政府的反对，该建厂计划未能实现。

另外，美国与泰勒市均对先进封装业务的环保审批表示支持，因此三星电子决定转向建设先进封装工厂。

业界人士指出，相较于美国，韩国对半导体产业的支持力度不足，这也是三星电子考虑在美设厂的原因之一。若韩国政府无法展现出足够的诚意，此类计划未来仍有可能实现。