3D NAND的主要工艺流程

3D NAND绝对是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特尔，长江存储等都有3D NAND的产线，代表了一个国家的芯片制造水平。今天，我们就来剖析一下3D NAND的主要制作流程。

1，基底准备：选择12寸特定晶向的硅片。

2，SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的层数也不同。图中只是示意图，只有几层。但实际有64，128，400层等层数。

3，沉积无定形硅碳膜，这个是用来做沟道刻蚀的硬掩模。

4，硬掩模刻蚀，将硬掩模开口，以便于刻蚀堆叠的SiO2与SiNx材料

5，沟道通孔刻蚀

6，台阶刻蚀，见文章：

《3D NAND的台阶蚀刻（刻蚀）》

7，沉积无定形硅硬掩模，图片为侧视图

8，将硬掩模开孔

9，slit etch：将SiO2与SiNx的堆叠层刻蚀为一个个沟槽，

10，将堆叠层中的SiNx刻蚀掉，填充TiN,钨（W）等,即word line fill工艺。

11，刻蚀掉多余的钨，之后需要对沟道通孔进行填充，因此需依次沉积阻挡氧化层，Charge Trap SiN (电荷陷阱氮化硅)，Tunnel Oxide (隧道氧化物)，Poly Si (多晶硅)，Core SiO2 (硅基体)。功能区主体结构完成。

12，沉积介质层，并用CCP-RIE进行接触孔蚀刻。

13，用金属填充接触孔，并制作出连接接触孔的金属导线-Bit line，3D NAND的整个制程结束。

文中精简了比较多的重复步骤，实际工艺在数百步以上。

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