珠海创飞芯近日宣布其基于55纳米高压工艺制程的OTP IP已实现上架

珠海创飞芯科技有限公司，作为国内领先的一站式存储NVM IP供应商，近日宣布其基于55纳米高压（55HV 1.2V/6V/32V Process）工艺制程的OTP IP(一次性可编程存储IP核）已在国内排名前三的晶圆代工厂实现IP上架。该OTP IP严格通过了非易失性存储考核标准的三个批次可靠性测试验证，满足了晶圆代工厂的上架标准，最终成功实现上架。这一重要里程碑标志着创飞芯在为客户提供安全、可靠的55HV工艺制程OTP IP解决方案上迈出了坚实的一步。

“我们很高兴看到55HV工艺OTP IP在晶圆代工厂的成功上架，这不仅证明了创飞芯在非易失性存储IP的技术实力，也为我们的合作伙伴和客户带来了实实在在的价值。”创飞芯的首席执行官George Wang表示，“这一里程碑进一步完善了我们OTP IP产品在各个重要工艺节点的布局，能够为客户提供更高可靠性、低成本、小面积的OTP IP解决方案。”

OTP IP在LCD显示驱动应用

OTP(One-Time Programmable) IP ，一次可编程知识产权核，烧入后可使得数据不能被再次更改和清除。随着嵌入式应用越来越广泛，OTP 可起到保护硬件设计的作用，同时能够保护产品安全，防止被非法侵入，被广泛应用于显示驱动、图像传感器、电源管理芯片、MCU、蓝牙芯片等领域。

OTP在LCD显示驱动发挥重要作用

基于55HV(55HV 1.2V/6V/32V Process)工艺制程的OTP IP被广泛应用于LCD显示驱动领域，OTP在该领域中发挥着画面校正、确保显示效果稳定的重要作用。由于画面闪烁或抖动是因为IC中的V-Common 电压偏移所造成的，IC在通过光传感器检测不同V-Common电压下面板闪烁模式的亮度表现，寻找在不同V-Common电压下面板的最小交流波形幅度后，通过OTP记录此时的最佳值，烧录于IC中，从而实现消除画面闪烁的目的。

创飞芯55HV工艺OTP IP具备高良率及支持宽压供电等优势

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高可靠性及高良率

创飞芯核心团队于2013年已成功获得OTP相关专利，在反熔丝OTP IP技术上积累了深厚的基础，反熔丝 OTP IP的底层技术是通过氧化层击穿编程，并且由于制造工艺不需要进行任何更改，因此反熔丝 OTP IP可以获得与标准 CMOS 工艺相同的良率和高可靠性。同时，创飞芯在设计中加入了冗余，可使OTP获得更高可靠性及良率。

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支持宽压供电

该IP支持宽压供电，能够适应不同电压等级的电源，兼容性更强，适用的工作应用场景更广泛，并且能够提供更高的稳定性。

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丰富量产验证

创飞芯HV平台的OTP在2015年已经有第一家显示驱动行业龙头客户量产，并持续稳定供货至今，已量产累计超过10万片以上晶圆，得到了广泛的市场验证及客户认可，安全可靠。

审核编辑：刘清