据4月19日消息,三星半导体近期在韩国官网上发布两位高层关于HBM内存的访问录。其中,他们透露出三星正计划将TC-NCF技术应用于16层HBM4内存制造。
TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。
三星透露,近期已成功运用TC-NCF键合工艺推出12层堆叠的36GB HBM3E内存。在此过程中,三星通过结构优化解决了发热问题,确保了高堆叠层数下HBM的稳定性。
除了继续沿用TC-NCF键合技术,据IT之家早先报道,三星在HBM4内存生产中还将采用混合键合技术,采取“双管齐下”策略。
三星高层认为,若AI处理器及内存制造商各自优化产品,难以满足未来AGI对算力的需求,故双方需紧密协作,为特定AI需求量身打造HBM内存便是实现AGI的关键步骤。
三星电子将充分发挥其全产业链优势,包括逻辑芯片代工、内存生产以及先进封装业务,构建HBM内存定制生态平台,以迅速响应用户的个性化需求。
另外,三星电子已经开始与客户探讨未来的3D HBM内存(即将HBM与逻辑芯片垂直整合)方案。
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