二极管的过渡电容CT(空间电容)
随着反向偏置幅度的增加,多数载流子远离结,即耗尽层的宽度W增加。结两侧的这种未覆盖的固定电荷构成增量电容C的电容器T由下属给出,
........(1)
其中 dQ 是电压 dV 增加导致的电荷增加。
因此,时间间隔 dt 中的电压变化 dV 将导致电流 i 由下式给出,
.........(2)
此电容 CT称为过渡电容或空间电荷电容或势垒电容或耗尽层电容。
CT形成结点的重要参数。但是,CT随反向偏置的大小而变化。反向偏置的大小越大,耗尽层的宽度W越大,过渡电容C越小 T .
CT在阶梯级结中:
如果从 P 侧的受体离子密度突然变为 N 侧的供体离子密度,则称为阶梯梯度。这种结在合金结(或熔断结)二极管中形成。一般来说,受体密度N一个和供体密度 ND保持不平等。转换电容 CT然后由下式给出,
........(3)
其中 是半导体介质的绝对介电常数,A 是结的横截面积,W 是耗尽层的横截面积,由下式给出,
........(4)
在案例 N 中 一个 >>N D ,
...........(5)
因此, ..........(6)
因此,在阶梯级结中,CT与结电压 V 的平方根成反比j其中 Vj由下属给出,
..........(7)
其中 Vd是一个负数,表示施加的反向偏置和 V0是接触电位。
CT在线性渐变交汇点中
如果净电荷密度在过渡区随距离呈线性变化,则称结是线性梯度的。这样的结在皱眉结二极管中形成。
在这样的结二极管中,过渡电容也由下式给出,
...........(8)
因此,C 的表达式T对于线性级配结与阶梯级级结相同。
但是,在这种情况下,假设 N 一个 = N D ,耗尽层的宽度W由下式给出,
.........(9)
因此
........(10)
因此,在这种情况下,CT与 V 的平方根成反比 j .
扩散电容或存储电容 CD
在正向偏置二极管中,结部处的电位势垒降低。结果,空穴从 P 侧注入到 N 侧,电子从 N 侧注入到 P 侧。这些注入的电荷储存在耗尽层外的结附近,N区的空穴和P区的电子。由于电荷存储,电压滞后于电流,产生电容效应。这种电容称为扩散电容或存储电容C D .
扩散电容 CD可以定义为注入电荷随电压的变化率,
因此
...........(11)
但是,在一个正向偏置二极管中,一个区域(比如P区)相对于另一个区域(N区)非常严重掺杂,电流(I)主要是由于空穴引起的。然后
(I) 由下式给出,
.......(12)
其中 Q 是存储的电荷,是空穴的平均寿命,由下式给出,
.............(13)
其中 LP是孔的扩散长度,DP是孔的扩散常数。
结合方程 (11) 和 (12),我们得到
..........(14)
但是从动态电阻方程.将 r
的这个值代入等式 (14) 中,我们得到,
..........(15)
在一般情况下,扩散常数 CD是由 n 区中的空穴和 P 区的电子扩散引起的,导致扩散电容 CDP的和 CDN的分别。总扩散电容CD是 C 的总和DP的和 C DN的 .
CD可能有几千pF的值。这个时间常数 C D .R主要限制某些半导体器件在高频应用中的频率响应。
实际上,在正向二极管中,存在扩散电容C的D和过渡电容 C T ,但 C D >>C T .通常,CD比 C 大一百万倍以上 T .因此,在正向偏置二极管中,CT可能被忽略,我们只需要考虑 C D .
同样,在反向偏置二极管中,它们同时存在于 CD和 C T .但是 C D T .
对于正向偏置的 Ge 二极管,在 ,然后 。对于 , .
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