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二极管的过渡电容和扩散电容介绍

科技观察员 来源:bestengineeringprojects 作者:bestengineeringprojec 2024-05-05 14:43 次阅读

二极管的过渡电容CT(空间电容)

随着反向偏置幅度的增加,多数载流子远离结,即耗尽层的宽度W增加。结两侧的这种未覆盖的固定电荷构成增量电容C的电容器T由下属给出,

C_T = |dfrac{dQ}{dV}|........(1)

其中 dQ 是电压 dV 增加导致的电荷增加。

因此,时间间隔 dt 中的电压变化 dV 将导致电流 i 由下式给出,

i = dfrac{dQ}{dt} = C_Tdfrac{dV}{dt}.........(2)

此电容 CT称为过渡电容或空间电荷电容或势垒电容或耗尽层电容。

CT形成结点的重要参数。但是,CT随反向偏置的大小而变化。反向偏置的大小越大,耗尽层的宽度W越大,过渡电容C越小 T .

正向偏置pn二极管

CT在阶梯级结中:

如果从 P 侧的受体离子密度突然变为 N 侧的供体离子密度,则称为阶梯梯度。这种结在合金结(或熔断结)二极管中形成。一般来说,受体密度N一个和供体密度 ND保持不平等。转换电容 CT然后由下式给出,

C_T = dfrac{epsilon A}{W}........(3)

其中 伊普西隆 是半导体介质的绝对介电常数,A 是结的横截面积,W 是耗尽层的横截面积,由下式给出,

W^2 = [dfrac{2epsilon V_j}{q}][dfrac{1}{N_A}+dfrac{1}{N_D}]........(4)

在案例 N 中 一个 >>N D ,

W = (dfrac{2epsilon V_j}{N_Dq})^{dfrac{1}{2}}...........(5)

因此, C_T = A(dfrac{N_D}{V_j})^{dfrac{1}{2}} times (dfrac{qepsilon}{2})^{dfrac{1}{2}} ..........(6)

因此,在阶梯级结中,CT与结电压 V 的平方根成反比j其中 Vj由下属给出,

V_j = V_o-V_d..........(7)

其中 Vd是一个负数,表示施加的反向偏置和 V0是接触电位。

CT在线性渐变交汇点中

如果净电荷密度在过渡区随距离呈线性变化,则称结是线性梯度的。这样的结在皱眉结二极管中形成。

在这样的结二极管中,过渡电容也由下式给出,

C_T = dfrac{epsilon A}{W}...........(8)

因此,C 的表达式T对于线性级配结与阶梯级级结相同。

但是,在这种情况下,假设 N 一个 = N D ,耗尽层的宽度W由下式给出,

W = (dfrac{6 epsilon V_j}{q N_D})^{dfrac{1}{2}}.........(9)

因此

C_T = A(dfrac{N_D}{V_j})^{dfrac{1}{2}} times (dfrac{qepsilon}{6})^{dfrac{1}{2}}........(10)

因此,在这种情况下,CT与 V 的平方根成反比 j .

扩散电容或存储电容 CD

在正向偏置二极管中,结部处的电位势垒降低。结果,空穴从 P 侧注入到 N 侧,电子从 N 侧注入到 P 侧。这些注入的电荷储存在耗尽层外的结附近,N区的空穴和P区的电子。由于电荷存储,电压滞后于电流,产生电容效应。这种电容称为扩散电容或存储电容C D .

扩散电容 CD可以定义为注入电荷随电压的变化率,

因此

C_D = dfrac{dQ}{dV}...........(11)

但是,在一个正向偏置二极管中,一个区域(比如P区)相对于另一个区域(N区)非常严重掺杂,电流(I)主要是由于空穴引起的。然后
(I) 由下式给出,

I = dfrac{Q}{tau_p}.......(12)

其中 Q 是存储的电荷,tau_p是空穴的平均寿命,由下式给出,

T_p = dfrac{L_p^2}{D_p}.............(13)

其中 LP是孔的扩散长度,DP是孔的扩散常数。

结合方程 (11) 和 (12),我们得到

C_D = tau dfrac{dI}{dV} = dfrac{tau}{r}..........(14)

但是从动态电阻r approx dfrac{eta V_T}{I}方程.将 r
的这个值代入等式 (14) 中,我们得到,

C_D = dfrac{tau I}{eta V_T}..........(15)

在一般情况下,扩散常数 CD是由 n 区中的空穴和 P 区的电子扩散引起的,导致扩散电容 CDP的和 CDN的分别。总扩散电容CD是 C 的总和DP的和 C DN的 .

CD可能有几千pF的值。这个时间常数 C D .R主要限制某些半导体器件在高频应用中的频率响应。

实际上,在正向二极管中,存在扩散电容C的D和过渡电容 C T ,但 C D >>C T .通常,CD比 C 大一百万倍以上 T .因此,在正向偏置二极管中,CT可能被忽略,我们只需要考虑 C D .

同样,在反向偏置二极管中,它们同时存在于 CD和 C T .但是 C D D我们只需要考虑 C T .

对于正向偏置的 Ge 二极管(eta = 1),在 我 = 13 毫安r = 2欧米茄然后 C_D = 0.5tau。对于 tau = 20 μ 秒C_D = 10 mu F.

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