“光刻33%法则”在业界被称为“四章法则”,它是在1980年代中期由荷兰ASML公司针对当时主流的步进式光刻机所提出的一种理论。
“光刻33%法则”在业界被称为“四章法则”,它是在1980年代中期由荷兰ASML公司针对当时主流的步进式光刻机所提出的一种理论。 “光刻33%法则”是指在光刻机的操作过程中,绘制的图案的尺寸在实际制造中可能会有一定的误差。根据法则,光刻机套刻精度主要受到三个因素的影响,分别是光刻胶的性能,掩膜光刻图形的偏差,以及光刻机本身的误差。这三个因素对套刻精度的贡献比例分别为33%。
光刻胶的性能:光刻胶的性能对套刻精度有显著影响。它决定了图形的套刻分辨率和边缘清晰度,光刻胶的收缩和厚度不均匀性都可能导致实际图案尺寸与设计尺寸之间的偏差。
掩膜光刻图形的偏差:掩膜上的图形与设计图形之间的偏差会影响套刻位置的准确性,可能导致图形位置的偏移和形状的变化。
光刻机本身的误差:光刻机的稳定性和精度,包括对准系统和光学系统的误差,也会影响套刻精度。
具体来说,光刻胶的性能决定了图形的套刻分辨率和边缘清晰度,而掩膜光刻图形的偏差会导致套刻位置的偏移和形状变化,光刻机本身的误差则与机器的稳定性和精度相关。这三个因素综合起来,通过精确控制和优化,可以达到较高的套刻精度。为了确保制造的精度符合设计要求,通常会采取一些校正措施,比如:
调整光刻胶的厚度,以减少收缩带来的影响。
使用更高精度的光刻机,以提高整体的套刻精度。
进行后续的校正和修复工作,以调整图案尺寸至设计要求。
审核编辑:黄飞
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原文标题:什么是光刻33%法则
文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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