0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士扩充AI基础设施DRAM产能

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-04-24 17:41 次阅读

4 月 24 日,SK 海力士宣布扩大AI基础设施,包括HBM在内的新一代DRAM产能。该举措旨在满足日益增长的AI半导体需求。

当天,公司召开董事会,决定将位于忠清北道清州市的M15X设为新的DRAM生产基地,并计划投资约5.3万亿韩元(约合279.31亿元人民币)用于工厂建设。

SK海力士将于本月底启动建设工程,预计2025年11月完工并开始量产。此外,公司还将逐步增加设备投资,预计向M15X投资超过20万亿韩元,以进一步扩大产能。

SK海力士强调,作为AI应用存储器领域的领导者,他们期望通过加大对韩国生产基地的投资,推动韩国经济发展,并巩固其在半导体行业的地位。

随着AI时代的到来,DRAM市场被视为进入中长期增长阶段。据预测,HBM及面向服务器的高容量DDR5模块的需求将持续上升,年均增长率有望达60%以上。

为了保证HBM产品的产量达到与普通DRAM同等水平,公司需具备至少两倍于普通DRAM的生产能力。因此,SK海力士决定在龙仁半导体集群首座工厂竣工(2027年上半年)前,先在清州M15X厂生产新一代DRAM产品。

SK海力士还考虑到M15X厂的地理优势,它毗邻正在扩充TSV*生产能力的M15厂,有利于优化HBM生产。

在推进M15X项目的同时,SK海力士也将按计划进行韩国国内投资,预计总投资额约为120万亿韩元。

目前,龙仁半导体集群的用地在建工程进度已达26%,比预期提前3个百分点。公司已完成生产设施用地补偿和文化遗产调查工作,电力、用水、道路等基础设施建设也在加快推进。公司计划明年3月动工兴建龙仁半导体集群首座工厂,并于2027年5月竣工。

此外,SK海力士的韩国国内投资在SK集团的整体投资中发挥着关键作用。自2012年加入SK集团以来,公司已累计投资46万亿韩元(约合2424.2亿元人民币),主要集中在利川M14厂、清州M15厂和M16厂的建设上。

SK海力士CEO郭鲁正表示:“我们相信,M15X将成为全球AI应用存储器的核心设施,也是公司未来发展的基石。这次投资不仅有益于公司自身,更将为国家经济的未来发展注入动力。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27335

    浏览量

    218367
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2313

    浏览量

    183461
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    960

    浏览量

    38487
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士被曝赢得博通 HBM 订单,预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17 万片

    存储芯片,并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。   由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM,SK
    的头像 发表于 12-21 15:16 212次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>被曝赢得博通 HBM 订单,预计明年 1b <b class='flag-5'>DRAM</b> <b class='flag-5'>产能</b>将扩大到 16~17 万片

    SK海力士M16晶圆厂扩产,DRAM产能将增18%

    SK 海力士,作为全球知名的半导体巨头,近期宣布了一项重要的扩产计划,旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模,显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道,S
    的头像 发表于 08-16 17:32 1110次阅读

    SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

    SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士
    的头像 发表于 08-14 17:06 837次阅读

    SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

    在全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D
    的头像 发表于 06-27 10:50 632次阅读

    SK海力士加大1b DRAM产能以满足市场需求

    在全球半导体产业风起云涌的当下,SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露,该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模,以应对当前市场对HBM(高带宽内存)及DDR5 DR
    的头像 发表于 06-17 16:30 587次阅读

    SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

    SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入
    的头像 发表于 05-30 11:02 794次阅读

    三星、SK海力士DRAM和NAND产量持保守态度

    DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存
    的头像 发表于 05-22 14:54 568次阅读

    SK海力士明年HBM产能基本售罄

    SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
    的头像 发表于 05-07 09:48 461次阅读

    SK海力士考虑新建DRAM工厂

    SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
    的头像 发表于 05-06 10:52 557次阅读

    刚刚!SK海力士出局!

    在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK
    的头像 发表于 03-27 09:12 611次阅读

    SK海力士扩大对芯片投资

    SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的
    的头像 发表于 03-08 10:53 1218次阅读

    SK海力士持续投资无锡的原因

    无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM
    发表于 01-31 11:23 817次阅读

    SK海力士加大高带宽内存生产投入

    SK海力士近日宣布,将进一步扩大高带宽内存生产设施的投资,以满足高性能AI产品市场的不断增长需求。
    的头像 发表于 01-29 16:54 967次阅读

    传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强
    的头像 发表于 01-08 10:25 995次阅读

    SK海力士在CES 2024展示未来AI基础设施关键技术

    尤其值得关注的是,HBM3E系目前最具顶级性能的存储器,由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产,并向广泛的AI科技企业供应。
    的头像 发表于 01-03 09:36 591次阅读