台积电2023年报预告：2026年N2制程量产，首推背面供电版

4月25日，据台积电发布的2023年度报告揭示，公司将于2025年下半年推出背面供电版N2制程节点，并于2026年开始大规模生产。

该公司透露，N2制程将运用先进的GAA纳米片技术，在性能和能效上都将达到全新高度，预计于2025年启动批量生产。

此外，N2的衍生版本——引入背面电源轨道方案的“最佳高性能计算应用”，将紧随标准版N2之后投入市场。

传统芯片制造方式是自下而上，先制作晶体管，然后构建互联和供电线路层。然而，随着制程工艺的不断缩小，传统供电模式的线路层变得愈发复杂，给设计和制造带来困扰。

背面供电将芯片供电网络移至晶圆背面，从而简化了供电路径，解决了互联瓶颈，减少了供电对信号的干扰，进而降低了整个平台的电压和功耗。

台积电的主要竞争对手英特尔和三星也都在积极推进背面供电技术的研发。据悉，英特尔计划在今年上半年的Intel 20A节点引入背面供电，而三星则有望在2025年的SF2节点实现这一技术。

因此，可以预见，2nm制程将成为背面供电技术商业化应用的重要里程碑。