0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

合科泰推出一款经典且常用的TO-220封装高压MOS管4N60

合科泰半导体 来源:合科泰半导体 2024-04-26 14:28 次阅读

一、前言

高压MOS管通常需要较大的栅极电压,以使MOS管可以承受高电压和高电流。高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺,这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路,具有高电压承受能力和低开关损耗,因此在高压电路中得到了广泛应用。本期,合科泰给大家介绍一款经典且常用的高压MOS管4N60,这个管子已经被广泛应用在开关电源开关稳压器电机驱动器产品上。

二、特性

48d06fde-0381-11ef-a297-92fbcf53809c.png

48ecdb60-0381-11ef-a297-92fbcf53809c.png

合科泰这款4N60高压MOS管具有很好的电学特性,它的漏源电压600V,栅源电压30V,连续漏极电流4A,漏源导通电阻2.5欧,最小栅极阈值电压2V ,最大栅极阈值电压4V,耗散功率106mW。它具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快等特点。

490097fe-0381-11ef-a297-92fbcf53809c.png

491a6bfc-0381-11ef-a297-92fbcf53809c.png

这款产品采用TO-220封装,产品采用直插式的封装形式,产品稳定、可靠。产品采用TO标准化的外形和引脚排列,先进工艺制造方便厂商在封装中使用,提高了组件的互换性和替代性。它还具有紧凑的表面贴装型封装形式、体积小、易于集成、易于安装、良好的散热性能等特点。

三、应用

作为一种高压MOSFET,4N60具有更好的产品特性,如开关时间快,栅极低充电,低导通状态电阻和具有高崎岖雪崩、耐用等特征,这些特点在开关、稳压电路等上具有重要作用。4N60可以在相对高压情况下保持稳定地工作,这对于高压应用非常重要,这种功率的MOS管子通常应用在开关电源、PWM电机控制、开关转换器、高效的DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、继电器驱动器和桥接电路等上面。

比如,在智能家电应用之高压吹风机和智能高压锅等产品上,这款产品的漏极-源极击穿电压高达600V,4A的正向电流,具有高温工作能力,高效率、稳定、宽温、安全等特点使得它在这类高压应用上大有可为,在具体的开关电路、电机驱动电路上起到关键作用。4N60在开关电源应用上,由于它能够承受较高的电压,具有较小的导通电阻,它能够在高压开关电源上起到高效开关和稳压作用。

49666048-0381-11ef-a297-92fbcf53809c.png

在很多行业应用上,4N60MOS管已经广泛应用于电源电路新能源储能、光伏、电瓶车、智能家用电器、LED照明、电机驱动、逆变器、适配器、工控设备等等领域,产品得到广大客户的认可。



审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • led照明
    +关注

    关注

    34

    文章

    2645

    浏览量

    142655
  • 开关电源
    +关注

    关注

    6448

    文章

    8286

    浏览量

    480502
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2389

    浏览量

    66550
  • 电机驱动器
    +关注

    关注

    16

    文章

    631

    浏览量

    64603
  • 击穿电压
    +关注

    关注

    1

    文章

    57

    浏览量

    8985

原文标题:产品 | TO-220封装高压MOS管4N60,可用于开关电源和电机驱动器等应用上

文章出处:【微信号:合科泰半导体,微信公众号:合科泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOSHKTD20N06产品介绍

    MOS在稳压以及开关等电路上具有非常重要的作用,一款好的MOS除了具备好的产品性能,其功耗、产品稳定性同样重要。本期,
    的头像 发表于 11-15 10:50 171次阅读

    MOSHKTQ30P03的应用场景

    MOS的高集成度、低功耗、高速度、制造工艺成熟、设计灵活性、可靠性和热噪声等特点,成为很多电子产品的标配。本期,给大家介绍
    的头像 发表于 10-27 14:25 194次阅读

    三极BCP54的特点和应用

    三极在电路中可以放大电流信号,实现对电路的驱动和开关以及控制等。一款好的三极需要具备良好的电气性能和机械性能以及产品稳定性,此外,它还要实用方便使用时间久等。本期,
    的头像 发表于 10-27 14:23 176次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>三极<b class='flag-5'>管</b>BCP54的特点和应用

    MOSAO9435的应用场景

    的传输更为准确可靠。MOS还可以发挥功率控制的作用,使得直流电压的产生和调节更为稳定,延长电子设备的使用寿命。也可以在电路中发挥稳压功能,调整电路的电压等等。本期,
    的头像 发表于 10-27 14:22 173次阅读

    NMOSHKTD70N04产品概述

    作为种重要的电子元件,MOS在电子电路中扮演着关键角色,MOS由源极、栅极、漏极组成,MOS
    的头像 发表于 10-21 09:39 138次阅读

    NMOSHKTD20N06的应用场景

    本期,给大家介绍一款性能强大的NMOSHKTD20N06,它可用于电机驱动和电源模块等产
    的头像 发表于 10-12 09:12 214次阅读

    MOSHKTD5N20的应用领域

    本期,给大家推荐一款应用广泛的MOS 产品,它在电机驱动、LED和电源上有重要应用。
    的头像 发表于 10-11 11:19 193次阅读

    NMOSHKTG50N03的特性和应用

    电路以及功率电子应用中得到广泛应用,具体包括逻辑门电路、放大器、开关电源、驱动电路等。N沟道制作的MOS由P型衬底和两个高浓度P扩散区构成,管子导通时在两个高浓度N扩散区间形成
    的头像 发表于 09-13 09:20 392次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>NMOS<b class='flag-5'>管</b>HKTG50<b class='flag-5'>N</b>03的特性和应用

    PMOSAO4435的特性和应用

    P型硅的衬底上,通过选择掺杂形成N型的掺杂区,作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。本期,
    的头像 发表于 09-13 09:14 339次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>PMOS<b class='flag-5'>管</b>AO4435的特性和应用

    推出一款可用于高压电源和电机驱动的高压MOSHKTD7N65

    高压MOS在很多场景应用,通常高压MOS的特点是沟道区宽、漏极区大、导通损耗小、低导通电阻、耐高电压、高开关速度、栅极采用特殊工艺等,这些
    的头像 发表于 05-17 11:42 822次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>一款</b>可用于<b class='flag-5'>高压</b>电源和电机驱动的<b class='flag-5'>高压</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD7<b class='flag-5'>N</b>65

    生产的高压MOS产品有哪些?

    MOS根据其耐压值可分为中低压MOS高压MOS高压
    的头像 发表于 04-12 11:25 616次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>生产的<b class='flag-5'>高压</b><b class='flag-5'>MOS</b>产品有哪些?

    泰半导体推出一款N沟道MOSHKTQ80N03

    MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等,N沟道MOS是在
    的头像 发表于 04-12 11:22 728次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b>泰半导体<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>一款</b><b class='flag-5'>N</b>沟道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTQ80<b class='flag-5'>N</b>03

    推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOSIRLML6402

    PMOS是指N型衬底、P沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS,因为PMOS是N型硅衬底,多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以PMOS的工作条件是在栅上相对于
    的头像 发表于 03-01 16:09 1864次阅读
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>一款</b>采用SOT-23<b class='flag-5'>封装</b>的P沟道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>IRLML6402

    低功耗MOS产品HKTD90N03的特性、原理及应用

    低功耗MOS具有其独特的优势,它在很多低压驱动控制电路和开关电路中应用广泛。本期,给大家介绍一款
    的头像 发表于 01-22 10:40 769次阅读
    低功耗<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>产品HKTD90<b class='flag-5'>N</b>03的特性、原理及应用

    采用TSSOP-8封装的混合MOSFL8205,可用于可穿戴和电池保护等应用

    、前言 混合MOS作为种常见的MOS器件,它的作用主要是开关、整流、稳压和电路保护等。本期,
    的头像 发表于 11-24 17:30 763次阅读
    采用TSSOP-8<b class='flag-5'>封装</b>的混合<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FL8205,可用于可穿戴和电池保护等应用