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Ti60F100 内外flash操作方案

XL FPGA技术交流 来源:XL FPGA技术交流 作者:XL FPGA技术交流 2024-05-20 16:42 次阅读

有客户认为Ti60F100内部flash容量比较小,只有16Mb,需要外挂flash.这里我们提供了内部flash和外部flash分别操作的方案。

该程序是通过SOC操作4线的外部flash和内部flash.程序先经过外部flash的擦除,写入和读出操作,再经过外部flash的擦除,写入和读出操作,每次读出后会进行数据的比较以判断写入和读出的数据是否一致。

硬件方案如下:

66ec3f9c-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.jpg

由于使用的RSICV是softjtag操作,所以使用了两个下载器。在硬件设计外外挂一片64Mb的flash。

66f8e99a-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash管脚分配

flash管脚 FPGA pin FPGA name flash管脚
Flash_cs_n A4 GPIOT_P_01 CS#
Flash_cck J2 GPIOL_N_01_CCK SCLK
Flash_cdi0 H2 GPIOL_P_03_CDI0 SI
Flash_cdi1 H1 GPIOL_N_03_CDI1 SO
Flash_cdi2 G4 GPIOL_P_05 WP#
Flash_cdi3 G3 GPIOL_N_05 HOLD#RESET#

IO的连接方案如下:

内flash与外部flash除片选信号分开外,对于4线flash,IO[3:2]是分开的,其余信号都是共用。SOC操作flash时,我们通过一个GPIO来控制flash的选择

66feae34-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

可能会有人有疑问为什么内外flash的管脚能够共用呢?因为内部flash的管脚也拉到GPIO上面的原因。如下图SSL_N,CCK,CDI0,1和都是与内部flash相通的。

6706ed10-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash的data2,data3及cs_n的接口配置。

IO
Configure
ext_flash_cs_n ext_flash_data2 Ext_flash_data3
Mode outout inout Inout
I/O Standard 1.8V lvcmos 1.8V lvcmos 1.8V lvcmos
IN OUT OE IN OUT OE
Connection Type normal normal - - normal - -
Register Option register register register register Register Register register
Clock Pin Name soc_clk soc_clk soc_clk soc_clk Soc_clk soc_clk Soc_clk
Pull Option Weak pullup None - - None -
Drive Strenght 12mA - 4mA - - 4mA -
Enable Fast Slew Rate - - - - - - -
IO GPIOT_P_01 GPIOL_P_05 GPIOL_N_05

添加SPI flash block,如下图,使能Enable Register Interface, Read/Write Width设置为4。

67271b12-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

FPGA通过GPIO来控制操作内部与外部flash,如下图,通过gpio_0来控制选择内部flash还外部flash,int_flash_select为高,表示选择内部flash,为低则选择外部flash。

672e991e-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

调试

程序经过擦除-->写入-->读出操作后,内存0x20000的数据为下图所示。

67401b94-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

程序经过擦除-->写入-->读出操作后,内存0x20000的数据为下图所示。

675c84f0-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

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