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ICP-RIE机台的原理是什么样的?

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-04-30 12:43 次阅读

ICP-RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机,是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备,可加工微米级纳米级的微型图案。

ICP-RIE机台的原理是什么样的?

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上图是一个典型的ICP-RIE设备的原理图,其中:

ICP Generator(感应耦合等离子体发生器):产生射频能量以激发气体并产生等离子体。

CCP Generator(电容耦合等离子体发生器):为下部电极提供射频能量,以产生电场并加速等离子体中的离子向晶圆表面运动。

Gas Inlet(气体进口):引入所需的刻蚀气体到反应室。

Analysis Port(分析口):用于连接在线检测工具,如质谱仪或光谱仪,用于分析反应室内的气体成分。

Glow Discharge(辉光放电区):这是等离子体形成和持续作用的区域,等离子体在此区域中发光。

Wafer Clamping(晶圆夹持):用于固定晶圆,确保其在刻蚀过程中位置稳定。

Pumping(泵):保持反应室的真空状态,排除刻蚀过程中的副产品和未反应气体。

Cryo Stage:控制晶圆在刻蚀过程中的温度,防止因温度过高而损伤晶圆或影响刻蚀结果。

Helium Backing(氦气背冷):利用氦气作为冷却介质,带走热量。

Dark Space(暗区或鞘区):一个没有辉光放电的区域,这有助于改善刻蚀的均匀性。

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:ICP-RIE设备原理

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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