三星拟应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）于DRAM EUV光刻工艺
据韩国媒体TheElec报导，三星已着手在下一代DRAM极紫外线（EUV）光刻工艺中引入金属氧化物抗蚀剂（MOR）技术。
据悉，MOR作为被广泛看好的下一代光刻胶（PR）解决方案，有望替代现今先进芯片光刻工艺中的化学放大胶（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增强抗蚀能力及降低线边缘粗糙度上的表现已无法满足当前晶圆制造的产业标准。
因此，三星计划在第6代10纳米DRAM（1c DRAM）中采用MOR技术，并在六至七层运用EUV PR。预计相关产品将在今年下半年实现量产。
此外，三星还计划从多家供应商处采购EUV MOR光刻胶材料，包括Inpria、杜邦、东进半导体以及三星SDI等公司均在进行相关研发与测试工作。
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