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三星电子:加快2nm和3D半导体技术发展,共享技术信息与未来展望

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-04-30 16:16 560次阅读

三星电子近日公开了第一季度财务报告,其中详细介绍了旗下半导体相关业务的技术进展及未来规划。据悉,尽管整体晶圆代工业务回暖速度较慢,但晶圆厂的运营效率已然有所提升。

在技术研发领域,三星电子的3nm与2nm工艺取得显著进步,预计本季度内完成2nm设计基础设施的开发;此外,4nm工艺的良率亦逐渐稳定。

为适应3D集成电路的需求,三星正在筹备4nm技术,同时计划开发适用于14nm、8nm等成熟节点的基础设施。值得注意的是,三星仍然计划下半年实现第二代3nm技术的大规模生产,并提高2nm技术的成熟度。

在存储业务方面,三星电子宣布已于本月启动HBM3E 8H(8层堆叠)内存的批量生产,并计划本季度内推出单堆栈容量高达36GB的HBM3E 12H产品

为了满足生成式AI市场的需求,三星将持续扩大HBM的供应。在常规DDR5领域,基于1bnm(12纳米级)制程的32Gb DDR5也将在本季度实现量产。

三星计划通过加快产能爬坡来增强企业在高密度DDR5模组市场的竞争力。据了解,三星1bnm 32Gb DDR5内存于去年9月首次亮相,原计划于2023年底量产。

至于NAND闪存领域,三星进一步明确第9代V-NAND的QLC版本将于今年三季度实现量产。

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