本文介绍了硅片和SOI两种材料的不同之处。
硅片和soi这两种材料,他们的不同之处是什么呢?
硅片与SOI
硅片是半导体制造的基础,绝大多数的芯片都是在硅片上制造的。SOI(silicon on insulator )利用绝缘层将单晶硅薄膜与单晶硅片隔离开来。与单晶硅片相比,SOI可以减少寄生电容,漏电流等,是一项比较前沿的技术。
制作方法的不同
硅片的制作方法:先用CZ法或FZ法制作出单晶硅锭,经过切割成片,抛光等工序,得到单晶硅片 SOI晶圆则是需要对已有的单晶硅片再加工,一般的方法有SIMOX,BESOI,晶体生长法等。涉及到的工艺有离子注入,退火,晶圆键合,CVD,cmp等。
总的来说,硅片制造的工艺偏向于材料端,但是SOI所需要的工艺更贴近于半导体制造端,更先进更前沿。
SOI技术的前景
SOI技术在微处理器,高性能RF芯片,硅光电子芯片中应用广泛。
因此针对于当前大环境下的芯片设计,SOI相比于硅片更具有可研究的潜力。
审核编辑:刘清
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原文标题:硅片和SOI的不同之处
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