美光232层QLC NAND现已量产
美光科技近日宣布了重大技术突破，其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产，并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘（SSD）中。此外，美光还推出了2500 NVMeTM SSD，该产品已面向企业级存储客户大规模生产，并向PCOEM厂商提供了样品。
这款232层QLC NAND闪存凭借其卓越的性能，为移动设备、客户端设备、边缘计算和数据中心存储设备带来了前所未有的提升。美光科技的这一技术突破，无疑将推动数据存储领域的进一步发展，满足日益增长的数据存储需求。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND
+关注
关注
16文章
1674浏览量
135965 -
美光科技
+关注
关注
0文章
184浏览量
22620
发布评论请先 登录
相关推荐
铠侠量产四层单元QLC UFS 4.0闪存
近日，铠侠宣布成功量产业界首款采用四层单元（4LC）技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS，拥有更高的位密度，使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域具有更广泛的应用前景。
三星QLC第九代V-NAND量产启动,引领AI时代数据存储新纪元
三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-
三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND
三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着
美光量产第九代NAND闪存技术产品
全球领先的存储解决方案提供商美光科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技术的固态硬盘（SSD）已正式进入量产出货阶段，标志着
美光232层NAND产品支持设备更加智能化
友好关系。 近期美光与上海交通大学微电子学院携手，在校企共建课程《集成电路设计前沿技术》中开设“美光课堂”。连续五年走进交大课堂，美
3D NAND闪存来到290层，400层+不远了
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
美光DRAM与NAND闪存产品线丰富，QLC颗粒已占总量2/3
在产品方面，美光引领行业实现32Gb单层架构的128GB服务器内存，并预计在未来六个月内带来数亿美元的营收。此外，在高速性能更高的MRDIMM领域，美光已经开始供应256GB的样品。
美光发布UFS 4.0封装新品，尺寸缩减20%，速度提速25%
美光指出，此次小小的改进主要受益于智能手机原始设备制造商的需求。他们希望能腾出更多手机内部空间给更大的电池。新产品的研发是团队在全美的客户实验室综合考虑各方面因素做出的决定，利用了美光
三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术
三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
美光发布业界领先的客户端 SSD，助力PC产业满足游戏、内容创作和科学计算的应用需求
有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，基于美光 232 层 NAND技术的 3500 NVMe™ 固态硬盘（SSD）
发表于 12-13 13:44
•698次阅读
美光发布基于232层NAND技术的的3500 NVMe固态硬盘(SSD)
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，基于美光 232
工商网监
评论