0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

美光232层QLC NAND现已量产

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-05-06 10:59 次阅读

美光科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,美光还推出了2500 NVMeTM SSD,该产品已面向企业级存储客户大规模生产,并向PCOEM厂商提供了样品。

这款232层QLC NAND闪存凭借其卓越的性能,为移动设备、客户端设备、边缘计算和数据中心存储设备带来了前所未有的提升。美光科技的这一技术突破,无疑将推动数据存储领域的进一步发展,满足日益增长的数据存储需求。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1680

    浏览量

    136106
  • 美光科技
    +关注

    关注

    0

    文章

    189

    浏览量

    22640
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    科技推出新一代6500 ION SSD

    科技近日宣布推出旗舰企业级SSD——6500 ION,这款SSD号称是世界上容量最大、速度最快、能效最高的SSD。它支持PCIe 5.0接口标准,最高容量可达60TB,并采用先进的TLC(三单元)技术,而非
    的头像 发表于 11-14 16:22 316次阅读

    铠侠量产单元QLC UFS 4.0闪存

    近日,铠侠宣布成功量产业界首款采用四单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS,拥有更高的位密度,使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域具有更广泛的应用前景。
    的头像 发表于 10-31 18:22 1627次阅读

    三星QLC第九代V-NAND量产启动,引领AI时代数据存储新纪元

    三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代产品,集成了多项前沿技术突破,标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-
    的头像 发表于 09-23 14:53 562次阅读

    三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

    三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四单元(QLC)第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先,也预示着
    的头像 发表于 09-12 16:27 565次阅读

    光采用第九代TLC NAND技术的SSD产品量产

    2024 年 7 月 31 日,科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货,成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。
    的头像 发表于 08-02 15:34 367次阅读

    量产第九代NAND闪存技术产品

    全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着
    的头像 发表于 08-01 16:38 682次阅读

    232NAND产品支持设备更加智能化

    友好关系。 近期与上海交通大学微电子学院携手,在校企共建课程《集成电路设计前沿技术》中开设“课堂”。连续五年走进交大课堂,
    的头像 发表于 06-25 15:50 504次阅读

    3D NAND闪存来到290,400+不远了

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+ 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
    的头像 发表于 05-25 00:55 3719次阅读
    3D <b class='flag-5'>NAND</b>闪存来到290<b class='flag-5'>层</b>,400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

    率先量产232QLC NAND产品

    科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232QLC NAND产品已成功实现
    的头像 发表于 05-09 14:53 596次阅读

    232QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

    科技近期宣布,其创新的232QLC NAND芯片已成功实现
    的头像 发表于 04-29 10:36 741次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 595次阅读

    三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290

    据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280堆叠的QLC闪存,其IO接口速度可达3.2GB/s。
    的头像 发表于 04-12 16:05 836次阅读

    DRAM与NAND闪存产品线丰富,QLC颗粒已占总量2/3

     在产品方面,引领行业实现32Gb单层架构的128GB服务器内存,并预计在未来六个月内带来数亿美元的营收。此外,在高速性能更高的MRDIMM领域,已经开始供应256GB的样品。
    的头像 发表于 03-22 14:51 515次阅读

    发布UFS 4.0封装新品,尺寸缩减20%,速度提速25%

    指出,此次小小的改进主要受益于智能手机原始设备制造商的需求。他们希望能腾出更多手机内部空间给更大的电池。新产品的研发是团队在全美的客户实验室综合考虑各方面因素做出的决定,利用了
    的头像 发表于 02-27 16:10 720次阅读

    三星将推出GDDR7产品及280堆叠的3D QLC NAND技术

    三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280堆叠的3D QLC NAND技术。
    的头像 发表于 02-01 10:35 777次阅读