东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品
东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺，使得导通电阻达到极低水平，极大提升了能效。
尤为引人注目的是，L-TOGL™封装技术中采用了独特的铜夹片结构。这种设计通过厚铜框将MOSFET芯片与外部引脚紧密相连，有效提升了散热性能和电气连接稳定性。这一创新不仅确保了产品在高负载、高温等恶劣车载环境下的稳定工作，同时也为汽车制造商提供了更加可靠、高效的解决方案。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
455文章
50838浏览量
423831 -
东芝
+关注
关注
6文章
1401浏览量
121302 -
功率MOSFET
+关注
关注
0文章
349浏览量
21799
发布评论请先 登录
相关推荐
东芝新型L-TOGL封装车载MOSFET的功能特性分析
近年来，随着汽车电子化的快速发展和电动汽车销量的持续攀升，车载MOSFET市场增长迅速。在功率半导体技术不断进步的推动下，车载MOSFET性
南芯科技推出两款车载充电芯片，大幅提升车充性能
南芯科技近日宣布推出两款针对车载充电领域的重磅产品——全集成USB PD解决方案的高功率升降压转换器SC87550Q/SC87580Q，以及
东芝推出小型封装车载光继电器TLX9150M
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，
锐骏新款超低导通MOSRUH4040M、80M更适用于新产品研发
锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。这两款
发表于 10-14 09:40
CGD推出两款新型 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC封装
GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN 产品系列 GaN
Transphorm携手伟诠电子推出两款新型系统级封装氮化镓器件
全球氮化镓功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布，双方已成功推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP）。这
Vishay发布两款采用超小型MiniLED封装的新型LED产品
Vishay公司近日发布了两款采用超小型MiniLED封装的新型LED产品，分别是VLMB2332T1U2-08蓝色LED和VLMTG2332ABCA-08纯绿色LED。这
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为
Littelfuse N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P
Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay
Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新
Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的
工商网监
评论