SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
据SK海力士官方介绍，ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案的杰出代表，它不仅实现了业界最高性能，更是专为端侧AI手机进行了深度优化。这意味着，无论是从数据处理速度、存储容量还是使用寿命上，ZUFS 4.0都将为智能手机等移动设备带来前所未有的体验提升。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1789浏览量
114937 -
NAND
+关注
关注
16文章
1682浏览量
136175 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
964浏览量
38514
发布评论请先 登录
相关推荐
SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存
在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士凭借其创新实力，率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品，再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK
SK海力士GDDR7显存性能飙升60%
全球领先的半导体制造商SK 海力士近日宣布了一项重大突破，正式推出了全球性能巅峰的新一代显存产品——GDDR7。这款专为图形处理优化设计的显
SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND
SK海力士将在2025年底量产400+层堆叠NAND
近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在20
SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资
据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为
SK海力士携手台积电，N5工艺打造高性能HBM4内存
在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK
SK海力士开发出用于端侧AI PC的高性能固态硬盘PCB01
（SSD）——PCB01。这款产品的推出，不仅标志着SK海力士在NAND闪存解决方案领域的又
SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
近日，SK海力士与台积电宣布达成合作，计划量产下一代HBM（高带宽内存）。在这项合作中，台积电将主导基础芯片的前端工艺（FEOL）和后续布线工艺（BEOL），确保基础芯片的质量与性能。而SK
SK海力士发布端侧AI移动NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
SK海力士进一步解释，ZUFS（Zoned Universal Flash Storage）是针对电子产品如数码相机、手机的通用闪存存储进行
消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备
SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。
刚刚！SK海力士出局！
在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力
SK海力士重组中国业务
SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局，计划关闭运营了长达17年的上海销售公司，并将其业务重
铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器，推动合作达成
去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D
工商网监
评论