国信光电子创新中心发布首款2Tb/s硅光互连芯粒
5 月 10 日讯，国家信息光电子创新中心与鹏城实验室合作研发成功首款国产 2Tb/s 硅光互连芯片，并首次在中国展示了 3D 硅基光电芯粒架构，在单片内实现了高达 8×256Gb/s 的单向互连带宽。
该团队在 2021 年 1.6T 硅光互连芯片的基础上，运用先进的光电协同设计仿真方法，开发出适配硅光的单路超 200G driver 和 TIA 芯片，同时攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺难题，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。
经过系统传输测试，8 个通道在 224Gb/s PAM4 光信号速率下，TDECQ 均在 2dB 以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达 8×256Gb/s，单片单向互连带宽达到 2Tb/s。
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