Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封装的第四代600 VE系列功率MOSFET

第四代 600 V E 系列功率 MOSFET

RDS(ON)*QgFOM达到业内先进水平

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品

降低导通和开关损耗，从而提升能效

Vishay推出首款采用新型PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。

与前代器件相比，Vishay Siliconix n 沟道SiHR080N60E导通电阻降低27%，导通电阻与栅极电荷乘积，即600V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。

Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。

随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC / DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 °C / W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω，超低栅极电荷下降到42nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。

器件符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

审核编辑：刘清