据悉,三星电子已针对其高带宽存储器(HBM)内存部门进行重大改革,旨在提高公司在此项业务中的竞争力。
据此,现有的DRAM设计团队将主要负责HBM3E内存的开发和优化,而今年三月份新设立的HBM产能与质量提升团队则专攻下一代技术——HBM4。
该战略的核心是由DRAM开发副总裁黄成允领衔的全新HBM开发团队,他们直接向存储业务部总裁李祯培报告,同时三星已将部分人才调配至此。
作为AI计算芯片的重要组成部分,HBM内存一直备受关注。HBM4内存将在多方面做出创新,包括堆叠层数增加到12或16层,以及Base Die的定制化等,这些都将加大研发难度。
值得注意的是,SK海力士已经将其HBM4内存的12层堆叠版的量产时间提前到了2025年下半年,而三星电子则预计在2026年实现这一目标。
此次三星组建HBM4独立团队,旨在解决内存开发难题,缩短开发周期,从而在HBM4节点重新确立竞争优势,并有望从SK海力士手中夺回市场份额。
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